用于SRAM单元结构的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种SRAM单元结构。在一个实施例中，位单元第一层接触件形成于第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点、位线条节点、数据节点和数据条节点；并且第二层接触件形成于在第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点和位线条节点处的第一层接触件中的每一个第一层接触件上方；其中，形成于数据节点和数据条节点处的第一层接触件没有在其上的第二层接触件。在另一实施例中，形成字线，并且位线以及CVdd和CVss线形成在SRAM单元上方并且耦合到对应节点。公开了用于形成单元结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种装置，包括：至少一个SRAM单元，形成于半导体衬底的一部分中，包括：第一反相器，在其输出处具有数据节点，所述第一反相器进一步包括耦合在第一正电源CVdd节点与所述数据节点之间的第一上拉器件和耦合在第一接地电源CVss节点与所述数据节点之间的第一下拉器件，并且所述第一上拉器件和所述第一下拉器件的公共栅电极耦合至数据条节点；第二反相器，在其输出处具有所述数据条节点，所述第二反相器进一步包括耦合在第二正电源CVdd与所述数据条节点之间的第二上拉器件和耦合在第二接地电源CVss节点与所述数据条节点之间的第二下拉器件，并且耦合至所述数据节点的所述第二上拉器件和所述第二下拉器件的公共栅电极；第一传输门...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：