金属栅极半导体器件制造技术

提供了方法和器件，包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如，第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联，并且包括第一介电层和第一金属层；第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联，并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金属层；以及伪栅极结构，包括第一介电层和第一金属层。本发明专利技术还提供了金属栅极半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：形成包括第一栅极介电层、第一金属层以及上覆所述第一栅极介电层和所述第一金属层的伪层的多个栅极结构；从所述多个栅极结构的第一栅极结构和第二栅极结构中去除所述伪层的至少一部分，其中，去除所述伪层在所述第一栅极结构中提供第一沟槽以及在所述第二栅极结构中提供第二沟槽，其中，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；以及在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第二栅极介电层和第二金属层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄仁安，朱鸣，刘继文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：