半导体制造的微影方法技术

技术编号:9238099 阅读:121 留言:0更新日期:2013-10-10 02:06
本发明专利技术是有关于一种半导体制造的微影方法,包括进行一高精密微影制程,以提供至少一图案曝光制程于该基材层上,以及进行一低精密微影制程,以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图案,借以形成主动图案于基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成,并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程,而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成(积体)电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体制造的微影方法,其特征在于,其包括以下步骤:提供一图案,该图案包含一主动图案以及一虚设图案;进行一高精密微影制程,以提供至少一第一曝光制程于一基材层上,其中该第一曝光制程在该基材层上形成该图案;以及进行一低精密微影制程,以提供至少一第二曝光制程于该基材层上,其中该第二曝光制程移除该虚设图案,借以在该基材层上形成该主动图案。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈桂顺林进祥鲁定中
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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