【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：后钝化层，设置在衬底上方，所述衬底具有热膨胀系数失配的第一方向；以及第一开口，穿过所述后钝化层，所述第一开口包括多个细长孔隙，所述多个细长孔隙中的最长孔隙包括第一尺寸，其中，所述第一尺寸基本上与所述热膨胀系数失配的第一方向垂直对准。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，梁世纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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