【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种装置，包括：形成在衬底中的第一隔离区，其中所述第一隔离区具有第一非垂直侧壁；形成在所述衬底中的第二隔离区，其中所述第二隔离区具有第二非垂直侧壁；形成在所述衬底中的V形凹槽，其中所述V形凹槽、所述第一非垂直侧壁和所述第二非垂直侧壁形成在所述衬底中的斗篷形凹槽；在所述衬底上方的形成在所述斗篷形凹槽中的斗篷形有源区，其中所述斗篷形有源区具有在所述隔离区的顶面之上突出的上部部分，并且其中所述斗篷形有源区包括：第一漏极/源极区；第二漏极/源极区；以及在所述第一漏极/源极区与所述第二漏极/源极区之间连接的沟道；以及包围所述斗篷形有源区的所述沟道的栅电极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宜静，林佑儒，万政典，吴政宪，柯志欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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