一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管制造技术

一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有P型漂移阱、P型缓冲阱和N型体接触区各两个，在P型缓冲阱内分别设有P型漏区和P型源区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、N型体接触区、P型源区、多晶硅栅和P型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在两个P型漂移阱上表面还各设有与低压P型阱共用一块光刻板，采用低能量离子注入形成的第一和第二浅P型阱，该区域有效地优化了表面电场分布，降低了最高晶格温度，提高了二次崩溃电流，增强了器件在ESD过程中的鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有N型外延层（2），在N型外延层（2）的内部设有第一P型漂移阱（15）和第二P型漂移阱（23），在第一P型漂移阱（15）的内部设有第一P型缓冲阱（14），在第二P型漂移阱（23）的内部设有第二P型缓冲阱（22），在第一P型缓冲阱（14）中设有P型源区（13），在第二P型缓冲阱（22）中设有P型漏区（12），在N型外延层（2）的内部还设有第一N型体接触区（3）和第二N型体接触区（4），在N型外延层（2）的表面设有栅氧化层（18）、第一场氧化层（8）与第四场氧化层（11），在第一P型漂移阱（15）的表面设有第二场氧化层（9），在第二P型漂移阱（23）的表面设有第三场氧化层（10），所述栅氧化层（18）始于第二场氧化层（9）的一个边界，栅氧化层（18）的另一端向第三场氧化层（10）延伸并止于第三场氧化层（10）的一个边界，所述第一场氧化层（8）的一端始于第一N型体接触区（3），第一场氧化层（8）的另一端向P型源区（13）延伸并止于P型源区（13），所述第四场氧化层（11）的一端始于P型漏区（12），第四场氧化层（11）的另一端向第二N型体接触区（4）延伸并止于第二N型体接触区（4），所述第二场氧化层（9）始于栅氧化层（18）的一端，第二场氧化层（9）的另一端向P型源区（13）延伸并止于P型源区（13），所述第三场氧化层（10）始于栅氧化层（18）的一端，第三场氧化层（10）的另一端向P型漏区（12）延伸并止于P型漏区（12），在栅氧化层（18）的表面设有多晶硅栅（19）且多晶硅栅（19）的两端分别延伸至第二场氧化层（9）及第三场氧化层（10）的上表面，在第一N型接触区（3）、第一场氧化层（8）、P型源区（13）、第二场氧化层（9）、多晶硅栅（19）、第三场氧化层（10）、P型漏区（12）、第四场氧化层（11）和第二N型接触区（4）的表面设有钝化层（7），在第一N型体接触区（3）表面连接有第一金属区（5），在P型源区（13）表面连接有第二金属区（17），在P型漏区（12）表面连接有第三金属区（16），在第二N型体接触区（4）表面连接有第四金属区（6），其特征在于，在第一P型漂移阱（15）的上表面还设有第一浅P型阱（20），所述第一浅P型阱（20）的一端向第二P型漂移阱（23）延伸并超过第一P型漂移阱（15）的边界，第一浅P型阱（20）的另一端向第一P型缓冲阱（14）延伸并超过多晶硅栅（19）临近P型源区（13）的边界，在第二P型漂移阱（23）的上表面还设有第二浅P型阱（21），所述第二浅P型阱（21）的一端向第一P型漂移阱（15）延伸并超过第二P型漂移阱（23）的边界，第二浅P型阱（21）的另一端向第二P型缓冲阱（22）延伸并超过多晶硅栅（19）的另一个边界。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，林婧婧，叶伟，张春伟，刘斯扬，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：