单轴应变量子阱器件及其制造方法技术

一种平面或非平面量子阱器件以及形成该量子阱器件的方法。该器件包括：包括大带隙材料的缓冲区；缓冲区上的单轴应变量子阱沟道区；量子阱沟道区上的包括大带隙材料的上阻挡区；量子阱沟道区上的栅极电介质；栅极电介质上的栅极电极；以及在栅极电极的各相应侧处的凹槽源极区和漏极区，该源极区和漏极区包括具有与缓冲区的材料的晶格常数不同的晶格常数的结材料。优选地，缓冲区包括Si1-xGex材料，并且结材料包括Si1-yGey材料(其中y大于x)、或纯锗、或锡锗之一。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·瑞驰梅迪，R·皮尔拉瑞斯帝，V·H·勒，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：