下载用于FinFET的装置和方法的技术资料

文档序号:9144577

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本发明公开了一种FinFET,其包括形成在衬底中的隔离区、形成在衬底上方的斗篷形有源区,其中该斗篷形有源区具有突出在隔离区顶面之上的上部部分。此外,FinFET包括包围斗篷形有源区的沟道的栅电极。本发明还公开了用于FinFET的装置和方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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