本发明内容提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括包含电子元件的第一管芯。IC器件包括包含接地屏蔽结构的第二管芯。IC器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的层。该层将第一管芯和第二关系连接在一起。本发明内容还涉及微电子器件。微电子器件包...

一种用于晶圆级测试半导体IC封装的被测器件(DUT)的测试探测结构。该结构包括衬底、衬底通孔、形成在衬底的第一表面以接合探测卡的凸块阵列以及在衬底的第二表面上的至少一个探测单元。该探测单元包括形成在衬底的一个表面上的导电探测焊盘以及与该...

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括设置半导体衬底上的钝化层以及设置钝化层上的互连结构。该互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域。保护层设置在该互连结构的上面并且包括暴露接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露伪区域的一部分...

以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部...

本发明涉及的器件包括第一和第二封装部件。金属迹线设置在第一封装部件的表面上。该金属迹线具有长度方向。该金属迹线包括具有边的部分，其中，该边不平行于金属迹线的长度方向。第二封装部件包括金属柱，其中，第二封装部件设置在第一封装部件上方。焊料...

一种晶圆级芯片尺寸半导体器件，包括：半导体管芯、第一凸块底部金属结构和第二凸块底部金属结构。在半导体管芯的角部区域或边部区域上形成具有第一包围件的第一凸块底部金属结构。在半导体管芯的内部区域上形成具有第二包围件的第二凸块底部金属结构。第...

一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成...

本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实...

用于提供FinFET?SRAM单元的方法和装置。提供了一种SRAM单元结构，包括中心N阱区域以及在中心N阱区域的相对侧上的第一和第二P阱区域，N阱区域与P阱区域的面积比在80％至120％之间，该SRAM单元结构还包括：至少一个p型晶体管...

用于在单个集成电路上提供单个FinFET和多个FinFET?SRAM阵列的方法和装置。描述了多个第一位单元的第一单端口SRAM阵列，每个第一位单元都具有Y间距Y1和X间距X1，X1与Y1的比率大于或等于2，每个位单元都进一步具有单鳍Fi...

一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以...

本发明提供一种照明器件。该照明器件包括盖状件结构。盖状件结构被部分涂布有用于反射光的反射材料。照明器件包括设置在盖状件结构内的一个或多个发光器件。发光器件可以是发光二极管(LED)芯片。照明器件还包括散热结构。散热结构在第一方向上连接至...

本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具...

本发明公开了一种方法，所述方法包括对封装结构的焊区进行回流焊，以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理。在所述回流焊步骤与所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。本发明还公开了回流焊和清理集成工艺以及实施该...

本发明提供了一种发光二极管(LED)装置。LED装置包括：具有顶面的LED发射器；以及设置在LED发射器上方的荧光粉部件。荧光粉部件包括第一荧光粉膜，该第一荧光粉膜设置在LED发射器的顶面上方并且具有在与LED发射器的顶面平行的方向上所...

本发明公开了一种发光二极管结构及其制造方法。在一实例中，发光二极管结构包括具有大于或者等于约250μm厚度的晶体衬底，其中所述晶体衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多...

一种薄膜太阳能电池及其形成工艺。该太阳能电池包括底部电极、半导体光吸收层、和顶部电极。可以通过在电极之间形成的凹进区域中电化学电镀导电材料，在顶部电极和底部电极之间形成互连件。在一些实施例中，导电材料可以是具有非透光性质的光学不透明金属...

本发明涉及的是共用一个环路滤波器的锁相环。其中，一种集成电路的管芯堆叠，其包括多个管芯。该管芯堆叠中的每个管芯均包括锁相环(PLL)。每个管芯中的PLL共用环路滤波器和其他相应的电路。

本发明涉及一种跟踪电路，该电路包括开关电路、节点以及跟踪电路。该开关电路具有第一端、第二端以及第三端。该节点具有节点电压。该跟踪电路与第三端和节点电连接，并且被配置成接收节点电压以及基于节点电压在第三端处产生控制电压。

本发明公开了一种功率MOSFET，其包括从半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内的半导体区，其中所述半导体区为第一导电类型。栅极介电层和栅电极设置在所述半导体区上方。漂移区为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且从所述半导体衬底的顶面延...