改善出光效率的发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管结构及其制造方法。在一实例中，发光二极管结构包括具有大于或者等于约250μm厚度的晶体衬底，其中所述晶体衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多个外延层，所述多个外延层被配置成为发光二极管；以及与所述晶体衬底接合的另一衬底，使得所述多个外延层设置在所述另一衬底和所述晶体衬底的第一粗糙表面之间。本发明专利技术还公开了改善出光效率的发光二级管及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及改善出光效率的发光二级管及其制造方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)基发光二极管通常生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底的不同属性直接影响GaN基LED的出光效率。例如，蓝宝石衬底的厚度，蓝宝石衬底的粗糙度特性，以及用于GaN基LED/蓝宝石衬底的封装方法都影响GaN基LED的出光效率。倒装芯片技术已经在GaN基LED实施，沉积在蓝宝石衬底上的GaN基LED正面朝下装配在另一衬底上(分装或者支撑衬底)，使得光穿过蓝宝石衬底(实质上作为“窗口层”)从LED背面发射出来。虽然倒装芯片技术已提供了理想的导热性和改进的外部量子效率(EQE)，但是在优化GaN基LED的出光效率方面仍然存在挑战，尤其与蓝宝石衬底的限制性的属性相关。因此，虽然对于GaN基LED的现有方法和结构已经总体上适于他们的预期目的，但是他们还没有在所有方面完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光二极管(LED)结构，包括:具有大于或者等于约250 μ m厚度的蓝宝石衬底，其中，所述蓝宝石衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管(LED)结构，包括：具有大于或者等于约250μm厚度的蓝宝石衬底，其中，所述蓝宝石衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多个外延层，所述多个外延层被配置成为发光二极管；以及与所述蓝宝石衬底接合的另一衬底，使得所述多个外延层设置在所述另一衬底和所述蓝宝石衬底的所述第一粗糙表面之间，并且其中所述另一衬底包括连接到所述发光二极管的相对置触点的至少两个导电端子。

【技术特征摘要】
2011.12.01 US 13/308,7841.一种发光二极管(LED)结构，包括: 具有大于或者等于约250 μ m厚度的蓝宝石衬底，其中，所述蓝宝石衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置； 设置在所述第一粗糙表面上的多个外延层，所述多个外延层被配置成为发光二极管；以及 与所述蓝宝石衬底接合的另一衬底，使得所述多个外延层设置在所述另一衬底和所述蓝宝石衬底的所述第一粗糙表面之间，并且其中所述另一衬底包括连接到所述发光二极管的相对置触点的至少两个导电端子。2.如权利要求1所述的LED结构，其中所述蓝宝石衬底的侧壁实质上没有激光烧蚀痕迹。3.如权利要求1所述的LED结构，其中所述蓝宝石衬底的厚度为大约250μ m至大约600 μ m04.如权利要求1所述的LED结构，其中所述另一衬底包括硅。5.如权利要求1所述的LED结构，其中所述第二粗糙表面包括多个随机分布的纳米级凹陷。6.一种发光二极管(LED)结构，包括: 基板；以及 LED器件，被倒置并且电连接至所述基板，其中所述LED器件包括: 具有大于或者等于约250 μ m厚度的蓝宝石衬底，其中所述蓝宝石衬底包括第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：李逸骏，朱荣堂，邱清华，黄泓文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：