半导体发光元件制造技术

根据实施方式，半导体发光元件具有能放射光的第1半导体层；与上述第1半导体层相向的第1主面；具有与上述第1主面相反一侧的第2主面的第2半导体层，在上述第2主面具有设有多个凸起的第1区域和不设上述凸起的第2区域。再者，还具备：电介质膜，设置在上述凸起的至少前端部；及电极，设置在上述第2区域之上。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件关联申请本申请享受以美国专利临时申请61/563,081号(申请日：2011年11月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体发光元件。
技术介绍
在照明装置、显示装置、信号机等中使用的发光元件，被要求高的光输出和长寿命。半导体发光元件与已有的球形灯光源相比较是长寿命的，适用于这些用途。若在半导体发光元件的发光面侧的半导体层的表面设有微细的凹凸，则可以提高从半导体向外部的光取出効率，并提高光输出。但是，有时设置在半导体表面的凹凸使半导体发光元件和密封半导体发光元件的树脂之间的粘接力下降。在树脂密封的半导体发光元件中，由于发光元件的发热，产生由半导体和树脂之间的线膨胀系数的不同引起的应力。该应力朝着将树脂从半导体剥离的方向而动。因此，在粘接力下降的半导体元件和树脂之间产生间隙，使光输出下降。于是需要能够提高半导体表面和树脂之间的粘接力而抑制剥离、提高可靠性的半导体发光元件。
技术实现思路
本专利技术的实施方式可以提供可靠性高的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件具备：第1半导体层，能放射光；第2半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层，能放射光，第2半导体层，具有与上述第1半导体层相向的第1主面和与上述第1主面相反一侧的第2主面，在上述第2主面上具有设有多个凸起的第1区域和未设有上述凸起的第2区域，电介质膜，设置在上述凸起的至少前端部，及电极，设置在上述第2区域之上。

【技术特征摘要】
2011.11.23 US 61/563,0811.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层，能放射光，第2半导体层，具有与上述第1半导体层相向的第1主面和与上述第1主面相反一侧的第2主面，在上述第2主面上具有设有多个凸起的第1区域和未设有上述凸起的第2区域，与上述第2主面垂直的剖面处的上述凸起的一个底角大于等于90度，电介质膜，覆盖上述凸起的前端部，在与上述凸起的侧面垂直的方向上成为最大膜厚，电极，设置在上述第2区域之上，及树脂，对上述凸起和上述电介质膜进行覆盖。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，与上述第2主面垂直的剖面处的上述凸起的另一底角大于等于35度、小于等于45度。3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述电介质膜至少设置在上述凸起处的小于等于90度的另一底角侧的侧面。4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述电介质膜设置在上述凸起的表面全体。5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述电介质膜由二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的任一种构成。6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述电介质膜包括从二氧化硅膜、氮化硅膜及氮氧化硅膜中选择出的至少2个膜。7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第2半导体层的折射率N1、上述电介质膜的折射率N2和上述树脂的折射率N3满足下式：N1＞N2＞N3。8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第2半导体层的折射率N1、上述电介质膜的折射率N2和上述树脂的折射率N3满足下式：N1＞N2，而且，N2＜N3。9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述电介质膜的膜厚的最大值是500nm。10.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，还具备隔着上述第1半导体层而与上述第2半导体层对置、且导电型不同于上述第2半导体层的第3半导体层，上述第1半导体层、上述第2半导体层及上述第3半导体层分别包括具有由Inx(AlyGa1-y)1-xP，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎宏德，西川幸江，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：