发光器件以及具有该发光器件的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光器件以及具有该发光器件的发光装置。根据实施方案的发光器件包括：透射衬底；包括多个突起的第一图案部分；包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度；设置在透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层的发光结构；在第一导电半导体层下的第一电极；在第二导电半导体层下的反射电极层；在反射电极层下的第二电极；在第一电极下的第一连接电极；在第二电极下的第二连接电极；以及设置在第一电极和第一连接电极周围以及第二电极和第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件以及具有该发光器件的发光装置。
技术介绍
由于其物理和化学特性，所以II1-V族氮化物半导体已被广泛用作发光器件如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的主要材料。通常，II1-V族氮化物半导体包括组成式为InxAlyGanyN (O彡x彡1，0彡y彡1，且O彡x+y彡I)的半导体材料。LED是通过利用化合物半导体的特性将电信号转化为红外线或光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或LD被用作各种产品如移动电话的键盘发光部、电子标识牌以及照明器件的光源。专利技术内 容实施方案提供了具有新的光提取结构的发光器件。实施方案提供了在衬底的顶表面上包括具有微凹凸部分的凹凸图案的发光器件。实施方案提供了在发光结构的顶表面上包括具有微凹凸部分的凹凸图案的发光器件。实施方案提供了晶片水平封装的发光器件。实施方案提供了包括具有陶瓷基添加剂的支撑构件的发光器件和制造该发光器件的方法，所述支撑构件形成在连接至发光结构的电极的外周表面上。实施方案提供了具有发光器件的发光装置、发光器件封装件和照明器件。根据实施方案的发光器件包括:透射(transmissive)衬底；设置在透射衬底的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分；设置在透射衬底的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度；设置在透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层的发光结构；在第一导电半导体层下方的第一电极；在第二导电半导体层下下的反射电极层；在反射电极层下的第二电极；在第一电极下的第一连接电极；在第二电极下下的第二连接电极；以及设置在第一电极和第一连接电极周围以及第二电极和第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。根据实施方案的发光器件包括:第一导电半导体层；在第一导电半导体层下的有源层；在有源层下下的第二导电半导体层；设置在第一导电半导体层的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分；设置在第一导电半导体层的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度；在第一导电半导体层下的第一电极；在第二导电半导体层下的反射电极层；在反射电极层下的第二电极；在第一电极下的第一连接电极；在第二电极下的第二连接电极；以及设置在第一电极和第一连接电极周围以及第二电极和第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。根据实施方案的发光装置包括:发光器件，所述发光器件包括形成在发光器件下部的支撑构件以及暴露于支撑构件的底表面的第一连接电极和第二连接电极；多个引线框，所述多个引线框上安装有发光器件的第一连接电极和第二连接电极；以及本体，所述本体上安装有引线框，其中所述发光器件包括:透射衬底；设置在透射衬底的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分；设置在透射衬底的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度；设置在透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层的发光结构；在第一导电半导体层与第一连接电极之间的第一电极；在第二导电半导体层下的反射电极层；以及在反射电极层与第二连接电极之间的第二电极；其中支撑构件设置在第一电极和第一连接电极周围以及第二电极和第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂，所述发光器件的第一连接电极和第二连接电极与支撑构件的底表面具有对应于引线框的顶表面的间隔。附图说明图1是根据第一实施方案的发光器件的侧截面视图；图2是图1所示的发光器件的底视图；图3至图9是示出根据第一实施方案的发光器件的制造方法的截面视图；图10是具有图1所示的发光器件的发光装置的侧截面视图；图11是根据第二实施方案的发光器件的侧截面视图；图12是根据第三实施方案的发光器件的侧截面视图；图13和图14分别是根据第四实施方案的发光器件的侧截面视图和底视图；图15和图16分别是根据第五实施方案的发光器件的侧截面视图和底视图；图17是根据第六实施方案的发光器件的侧截面视图；图18是根据第七实施方案的发光器件的侧截面视图；图19是根据第八实施方案的发光器件的侧截面视图；图20是根据第九实施方案的发光器件的侧截面视图；图21是示出图20的反射电极层和第二电极焊垫的一个实例的视图；图22是示出图20的第二电极接合层的一个实例的视图；图23是示出图20的第一电极接合层的一个实例的视图；图24是示出图20的第二电极接合层的另一实例的视图；图25是示出具有图1的发光器件的发光器件封装件的视图；图26是根据第十实施方案的发光器件的侧截面视图；图27至图29是示出图26所示的发光器件的制造方法的视图；图30是具有图26所示的发光器件的发光装置的侧截面视图；图31是根据第十一实施方案的发光器件的侧截面视图；图32是根据第十二实施方案的发光器件的侧截面视图33和图34分别是根据第十三实施方案的发光器件的侧截面视图和底视图；图35和图36分别是根据第十四实施方案的发光器件的侧截面视图和底视图；图37是根据第十五实施方案的发光器件的侧截面视图；图38是根据第十六实施方案的发光器件的侧截面视图；图39是根据第十七实施方案的发光器件的侧截面视图；图40是根据第十八实施方案的发光器件的侧截面视图；图41是示出具有图26的发光器件的发光器件封装件的截面视图；图42是示出具有根据实施方案的发光器件的显示装置的立体图；图43是示出根据实施方案的显示装置的截面视图；图44是示出具有根据实施方案的发光器件的照明单元的分解立体具体实施例方式在实施方案的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊垫或图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。已经参考附图描述了层的这种位置。为了方便或清楚起见，可以放大、省略或示意性地描绘附图中示出的各个层的厚度和尺寸。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。在下文中，将参考附图对实施方案进行描述。图1是根据第一实施方案的发光器件的侧截面视图；图2是图1所示的发光器件的底视图。参照图1和图2，发光器件100包括:衬底111、第一半导体层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143和支撑构件151。衬底111可以包括透射衬底、绝缘衬底或导电衬底。例如，衬底111可以包括A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, S1、GaP、InP、Ge 和 Ga2O3 中的至少一种。在衬底 111 的底表面上可以设置有光提取结构如凹凸图案。凹凸图案可以与第一半导体层113接触。凹凸图案可以由设置在衬底111的底表面上的凹凸结构形成或者可以形成为粗糙图案。凹凸图案可以具有条形或凸透镜形。衬底111在其顶表面SI上设置有第一图案部分和第二图案部分，第一图案部分具有包括多个突起11的第一凹凸结构，第二图案部分具有设置在第一凹凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：透射衬底；设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分；设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度；设置在所述透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层的发光结构；在所述第一导电半导体层下的第一电极；在所述第二导电半导体层下的反射电极层；在所述反射电极层下的第二电极；在所述第一电极下的第一连接电极；在所述第二电极下的第二连接电极；以及设置在所述第一电极和所述第一连接电极周围以及在所述第二电极和所述第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。

【技术特征摘要】
2011.11.16 KR 10-2011-01198231.一种发光器件，包括: 透射衬底； 设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分； 设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分，每个凹部的宽度小于每个突起的宽度； 设置在所述透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层的发光结构； 在所述第一导电半导体层下的第一电极； 在所述第二导电半导体层下的反射电极层； 在所述反射电极层下的第二电极； 在所述第一电极下的·第一连接电极； 在所述第二电极下的第二连接电极；以及 设置在所述第一电极和所述第一连接电极周围以及在所述第二电极和所述第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。2.权利要求1所述的发光器件，其中所述多个凹部分别设置在所述突起上。3.权利要求1所述的发光器件，其中所述多个突起具有半球形状。4.权利要求1所述的发光器件，其中所述多个突起以规则的间隔布置，所述凹部以不规则的间隔布置。5.权利要求1所述的发光器件，其中所述多个凹部中的每一个的宽度对应于所述多个突起中的每一个的宽度的50%或更小。6.权利要求5所述的发光器件，其中所述多个突起中的每一个的宽度在0.Ιμπι至10 μ m的范围内。7.权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括在所述透射衬底上的磷光体层，其中所述磷光体层的一部分设置在所述多个凹部中。8.权利要求7所述的发光器件，还包括在所述透射衬底与所述磷光体层之间的透射树脂层。9.权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括设置在所述衬底的底表面上的多个突起。10.权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述陶瓷基散热剂包括以下中的至少之一:含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少之一的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物。11.权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述支撑构件的底表面与所述第一连接电极和所述第二连接电极的底表面布置在相同的水平平面上。12.权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述反射电极层包括: 与所述发光结构接触的欧姆接触层； 在所述欧姆接触层下的反射层；和 在所述反射层下的第一扩散阻挡层； 其中所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括: 接合在所述第一扩散阻挡层下的第一粘合层； 在所述第一粘合层下的第二扩散阻挡层；和在所述第二扩散阻挡层下的第一接合层。13.权利要求12所述的发光器件，还包括: 接合在所述第一电极与所述第一连接电极之间的第一电极接合层；和 接合在所述第二电极与所述第二连接电极之间的第二电极接合层。14.权利要求13所述的发光器件，其中所述第一电极接合层包括: 接合至所述第一电极的第一接合电极；和 接合在所述第一连接电极与所述第一接合电极之间的第二接合电极，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜弼根，崔熙石，崔锡范，李珠源，黄德起，韩伶妵，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR