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本发明公开了一种发光二极管结构及其制造方法。在一实例中，发光二极管结构包括具有大于或者等于约250μm厚度的晶体衬底，其中所述晶体衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多个外...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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