回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺的设备制造技术

本发明专利技术公开了一种方法，所述方法包括对封装结构的焊区进行回流焊，以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理。在所述回流焊步骤与所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。本发明专利技术还公开了回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺的设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺的设备。
技术介绍
在集成电路封装中，焊接是接合集成电路各元件的最常用的方法之一。在用于接合两个集成电路元件的典型的焊接工艺中，将集成电路元件中的一个表面上的焊料浸醮助焊剂或两个表面上的焊剂都浸醮助焊剂。然后将集成电路元件放置在一起。进行回流焊以溶化焊料，从而在焊料冷却时集成电路兀件被接合在一起。在回流焊工艺后，可将接合的集成电路元件送去对相接合的集成电路元件进行清理步骤，从而可去除助焊剂残留物。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，所述方法包括:对封装结构的焊料区进行回流焊；以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理，其中在所述回流焊步骤和所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。在可选实施例中，所述回流焊步骤包括:将所述封装结构加热到高于所述焊料区的熔点的第一温度；以及将所述封装结构冷却到低于所述焊料区的所述熔点以及高于所述清理温度的第二温度。在可选实施例中，所述方法进一步包括:在所述冷却步骤之后以及所述清理步骤之前，将所述封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，所述方法包括：对封装结构的焊料区进行回流焊；以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理，其中在所述回流焊步骤和所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。

【技术特征摘要】
2011.12.07 US 13/313,3711.一种方法，所述方法包括: 对封装结构的焊料区进行回流焊；以及 在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理，其中在所述回流焊步骤和所述清理步骤之间，所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述回流焊步骤包括: 将所述封装结构加热到高于所述焊料区的熔点的第一温度；以及 将所述封装结构冷却到低于所述焊料区的所述熔点以及高于所述清理温度的第二温度。3.权利要求2所述的方法，进一步包括:在所述冷却步骤之后以及所述清理步骤之前，将所述封装结构的温度稳定在高于所述清理温度的缓冲温度。4.一种方法，所述方法包括: 将封装结构传送进加热区域以熔化焊料区，其中所述封装结构包括第一工件、第二工件以及在所述第一工件与所述第二工件之间的所述焊料区； 在所述焊料区熔化后，将所述封装结构传送进冷却区域以冷却所述焊料区；以及将所述封装结构传送进热熔剂喷洒区域，其中将助焊剂熔剂喷向所述封装结构，所述助焊剂熔剂具有高于室温的清理温度 ，以及在从所述焊料区被熔化至所述助焊剂熔剂喷向所述封装结构的期间，所述焊料区未发生实质的温度上升。5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括:在将所述封装结构传送进所述冷却区域的步骤与将所述封装结构传送进所述热溶剂喷洒区域的步骤之间，将所述封装结构传送...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘重希，黄见翎，张博平，黄英叡，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：