本发明提供方法。所述方法包含使锡(IV)化合物与试剂接触以形成至少一种反应产物。所述试剂包含金属烷氧化物化合物、氨基金属化合物或其任何组合中的至少一者。所述至少一种反应产物包含经取代的氨基锡(IV)化合物、经取代的烷氧化锡(IV)化合物...

提供一种用于将冲洗气体的流供应或分配到衬底容器中的方法及冲洗气体组合件。所述冲洗气体组合件包含：气体分配器，其包括至少一个出口；及冲洗模块，其包括用于接收冲洗气体的流的入口、止回阀及出口。所述气体分配器及冲洗模块的组合形成腔室。所述腔室...

本申请涉及用于衬底容器的歧管。本发明揭示一种衬底容器，其包含界定内部空间的壳体及具有进口及气体分配表面的歧管。所述壳体包含前开口、底壁及后壁。所述歧管附接到所述底壁且更靠近所述前开口而非所述后壁。所述气体分配表面经配置以将净化气体分配到...

提供一种模块保持器，其可旋转地附接到冲洗模块。所述模块保持器包含一或多个接合特征，所述一或多个接合特征经配置以插入穿过设置在衬底容器中的开口，且当在插入穿过所述开口之后旋转时接合突片。所述模块保持器可相对于所述冲洗模块旋转，使得可在不影...

本公开提供汽化器内的扩散器板以及相关系统及方法。一种汽化器包括具有出口的容器。所述容器含有或经配置以含有可汽化前体，其在汽化时产生前体蒸汽。所述容器通过所述出口排放或经配置以通过所述出口排放所述前体蒸汽。所述汽化器包含在所述容器内定位于...

本发明涉及一种衬底容器，其包含壳体、连接器及气体分配装置。所述连接器连接到设置在所述壳体的侧壁上的开口，其中所述连接器包含具有入口及出口的基座部分以及具有第一端及第二端的连接器本体。所述连接器本体的所述第一端与所述基座部分的所述出口可旋...

描述基板装置，所述基板装置用于支撑、输送及处理光罩，包含用于在极紫外线(EUV)光刻工艺中使用光罩之前在检测所述光罩的表面处的颗粒污染的步骤期间支撑所述光罩。所述基板装置可经设计以防止或减少在光罩后侧检验系统中使用的光量，所述光例如通过...

本申请涉及蚀刻钼的方法及组合物。本发明描述一种用于以一定蚀刻速率，从微电子装置蚀刻钼的蚀刻剂组合物及方法。使微电子装置与蚀刻剂组合物接触足以至少部分去除所述钼的时间。所述蚀刻剂组合物包含至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂及至少一种碱且...

本公开提供汽化器中的金属吸气剂及相关系统及方法。一种汽化器包括具有出口的容器。所述容器经配置以通过所述出口排放金属卤化物蒸气。所述汽化器包括在所述容器内定位在入口与出口之间的金属吸气剂。当含氧物种存在于所述容器内时，从所述容器排放的所述...

本文中提供一种离子植入方法及相关系统。所述离子植入方法包括汽化包括金属硼氢化物化合物的前体以获得经汽化前体，及使所述经汽化前体与衬底在气相沉积条件下接触以在所述衬底上形成膜。所述金属硼氢化物化合物同位素富集至少一种硼同位素。

本公开提供表面改性衬底及相关方法。一种具有改性表面的衬底包括第一区域及第二区域。所述第一区域定位在所述第二区域上方。所述第一区域包括氟化镍。所述第二区域包括镍合金。所述氟化镍的浓度从所述第一区域到所述第二区域逐渐减小。

提供高纯度含钼前体以及相关系统及方法。一种前体输送系统包括汽化器容器，所述汽化器容器经配置以容纳可汽化前体，所述可汽化前体在汽化时产生前体蒸汽。所述前体输送系统包括至少一个防护表面处理。所述至少一个防护表面处理覆盖所述前体输送系统的足量...

提供表面改性衬底及相关的方法。一种具有改性表面的衬底包括第一区域及第二区域。所述第一区域位于所述第二区域上方。所述第一区域包括氟化铝。所述第二区域包括铝合金。所述氟化铝的浓度从所述第一区域到所述第二区域逐渐减小。

一种用于在离子植入中递送汽化源前体的递送系统，其包含：组合件，所述组合件包含：容器，其具有内部体积且经配置以产生所述汽化源前体；第一加热器，其用于加热所述容器；及歧管，其经配置以控制所述汽化源前体到离子植入装置的输出，其中所述组合件经配...

本发明提供选择性钌沉积和相关系统与方法。方法包括：使钌前体的至少一部分汽化以产生经汽化钌前体；使衬底的第一表面部分和第二表面部分与所述经汽化钌前体和至少一种还原气体接触；以及相对于所述衬底的所述第二表面部分以至少25 Å的选择性将钌沉积...

本发明涉及用于合成亚锡烷氧化物的方法。所述方法的一些实施例包括使亚锡卤化物与金属烷氧化物接触以形成亚锡烷氧化物。所述方法的一些实施例包括使胺化锡化合物与醇化合物接触以形成亚锡烷氧化物。所述方法的一些实施例包括使亚锡卤化物与至少3当量金属...

一种用于形成袋的配件，其具有经配置以接纳尖突的内部尖突端口孔隙。所述配件进一步包含一或多个特征以在所述尖突接纳于尖突端口中时防止所述尖突接触所述袋。可通过将一或多个薄片附接到所述配件来形成袋。所述袋可通过插入所述尖突穿过任选第一穿刺障壁...

本申请涉及用于生产纯化水的过滤膜、系统和方法。描述用于生产纯化(例如，超纯)水的过滤膜、相关系统和相关方法，包含制备将可用于制造电子和半导体装置的过程中的纯化水的膜、系统和方法。

在衬底容器的内部设置若干支架以接纳及保持扩散装置。所述支架包含具有第一内部截面区域的接纳器及具有第二内部截面区域的保持区，其中所述第一内部截面区域大于所述第二内部截面区域。所述支架可包含在所述支架的与所述第一接纳器相对的端上的第二接纳器...

本发明涉及包含卤化铪前体的前体容器。所述卤化铪前体包含小于1 ppm的至少一种杂质。所述至少一种杂质包含以下物质中的至少一种：钛污染物、铬污染物、铝污染物、铁污染物或其任何组合。还提供相关系统和相关方法，包括例如但不限于用于递送蒸气前体...