本发明涉及前体及相关方法。前体包括环硅胺化合物。所述环硅胺化合物为氨基硅烷与卤代硅烷的反应产物。用于形成所述前体的方法包括获得氨基硅烷，获得卤代硅烷，和使所述氨基硅烷与所述卤代硅烷接触以获得所述前体。在其它实施例中也提供一种使用所述前体...

本发明描述与用于在干净环境中盛放或传输衬底的衬底容器一起使用的支撑装置，以及使用所述支撑装置及衬底容器的相关联系统及方法。一种衬底容器支撑系统包括：基座，其具有水平基座表面；喷嘴，其从所述基座表面垂直延伸，所述喷嘴能够相对于所述基座表面...

本发明为一种离子布植机用的供气系统，该供气系统包含一金属室、一电性绝缘盒、一硬质绝缘管件及一可挠性管件；该金属室的内部设置有一第一及第二管路，其底部通过多个电性绝缘件固定在地板上；该电性绝缘盒悬挂在该金属室的一外侧，该硬质绝缘管件设置在...

描述经调适以在洁净环境中存储或运输半导体晶片的晶片容器，包含含有洗净气体输送装置的容器，以及用于洗净容器内的环境的方法。一方面，本发明涉及一种扩散器，所述扩散器包含：细长本体，其包括：上端、下端、前壁、后壁、侧壁、介于所述上端与所述下端...

本发明提供具有高纯度的钼前体和纯化钼前体的方法。一种方法包括：获得包括固体试剂的第一容器；气化至少一部分所述固体试剂以产生包括MoCl5蒸气和钼杂质蒸气的蒸气；使至少一部分所述MoCl5蒸气和至少一部分所述钼杂质蒸气流向第二容器；在所述...

本申请涉及用于沉积钨薄膜或钼薄膜的方法。本文描述用于沉积金属薄膜或层到衬底上的气相沉积方法，其中所述金属是钼或钨；所述方法涉及含有所述金属及一或多种含碳配体的有机金属前驱物化合物，并包含沉积由所述前驱物的所述金属形成的金属层到衬底上，随...

本文描述吸附剂材料，其用于从气流中去除空气性分子污染且包括多孔吸附剂基质，所述吸附剂基质的表面上施加有氢氧化钾离子和碳酸钾；以及包括所述吸附剂的装置和制备和使用所述吸附剂的相关方法。

本发明描述适用于从气体中去除过氧化氢的方法和设备，所述气体例如来自使用过氧化氢对医院房间进行灭菌的步骤中的所述房间，或来自使用过氧化氢作为灭菌剂的灭菌设备所产生的废气流。

提供用于连结物品的锁销及接合部件。所述锁销包含头部、颈部及基部。所述头部定位于第二部件上方且具有下表面。所述颈部在其上端处连接到所述头部的下表面，其中所述颈部的宽度小于所述头部的所述下表面的宽度。所述基部定位于第一孔口中并连接到所述颈部...

一种半导体衬底携载容器，例如前开式统一晶片传送盒或装运箱，其包含：容器壳体，其具有多个壁、前部及后部，所述多个壁界定经定大小以能够接纳多个半导体衬底或托盘的内部空间；及支撑结构，其经配置以接纳所述多个半导体衬底或托盘。所述支撑结构包含至...

本公开提供前驱物材料的选择性沉积方法及相关装置。所述方法包括获得结构。所述结构包括非介电材料及介电材料。所述方法包括在若干条件下使所述结构与钼前驱物接触，以便在所述非介电材料的至少一部分上获得钼材料。在所述条件下所述钼材料未沉积在所述介...

一种组合物包括二硅烷胺前体。所述二硅烷胺前体包括与所述二硅烷胺前体的氮原子连接的官能团。所述官能团包括烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基或苯甲基。提供相关方法，包含用于形成所述二硅烷胺前体的方法及用于气相沉积的方法。

一种用于袋的配件包含整体形成的刺针端口，所述刺针端口包含孔口、穿刺阻挡膜及内部垫圈。所述配件可为含氟聚合物。所述穿刺阻挡层可为含氟聚合物膜。所述内部垫圈定位于所述孔口内且为所述刺针端口提供额外穿刺阻挡层。通过将两个例如含氟聚合物片材等的...

一种设备包含经配置以接收混合物的蒸馏容器。所述设备包含流体地连接到所述蒸馏容器的柱。网安置在所述柱中。所述设备包含流体地连接到相应真空装置的多个导管。分馏头流体地连接到所述柱。所述柱流体地连接在所述蒸馏容器与所述分馏头之间。

本发明提供了适用于形成含锡膜的前体。所述前体包含官能化锡化合物，其中一或多个配位体与Sn配位，且所述Sn被至少一个官能团官能化。进一步提供了形成所述前体的方法和使用所述前体来形成含锡膜的方法。

本申请案涉及多层多孔聚合物膜以及相关过滤器及方法。本发明描述：多孔聚合物过滤膜组合件，其包含串联的两个聚合物过滤膜，即作为膜组合件的一部分；包含两个聚合物过滤膜层的过滤器组件及过滤器产品；组装所述聚合物过滤膜、所述过滤器组件及所述过滤器...

本申请涉及具有涂层感测区的光罩盒。使用干式涂布方法在光罩容器的内盒上产生感测区。所述感测区是具有特定光谱反射率的离散区。所述感测区经定位使得其可通过工具读取以确定所述盒的部分的距离。与用材料完全镀覆的内盒或其它湿式涂布施覆的材料相比，使...

本发明提供用于在存在氧化硅和多晶硅下选择性蚀刻氮化硅的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物可于单一步骤中通过将所述蚀刻剂组合物施覆至衬底来达成氧化硅、多晶硅或其任何组合中的至少一者的钝化，同时选择性蚀刻氮化硅。所述蚀刻剂组合物可包含基于所述蚀...

本申请涉及VI族前驱物化合物。本发明提供用于制备各种VI族前驱物化合物的简便方法，所述VI族前驱物化合物可用于将这类VI族金属气相沉积于固体衬底、尤其微电子半导体装置衬底上。所述方法提供获得这类挥发性材料的有效手段，然后所述挥发性材料可...

本公开涉及一种光罩容器，其包含外盒及内盒，所述内盒经配置以收容光罩。所述外盒包含具有吹扫端口的盒门及具有经配置以从所述吹扫端口接收吹扫气体且将所述吹扫气体引导到所述外盒内的特定位置的一或多个通道的盒拱顶。所述通道可将所述吹扫气体引导到所...