【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于气相沉积工艺的环硅胺前体及相关方法。相关申请案的交互参照本申请案主张2023年1月17日申请的美国临时专利申请案第63/439,331号根据35usc 119的权益，其公开内容的全文以引用的方式并入本文中。
技术介绍
1、在衬底表面上的膜形成可用于半导体制造中。一些膜通过气相沉积工艺在衬底表面上形成。所述气相沉积工艺使用前体。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例涉及前体，其包括下式化合物：
2、
3、其中：
4、r1、r2、r3、r4和r5每一者独立地为氢、直链烷基、支链烷基或环烷基，限制条件为r4和r5不都为氢；
5、其中所述化合物为以下的反应产物：
6、
7、其中：
8、r1、r2、r3、r4和r5如上所定义；且
9、x为cl、br、i或f。
10、一些实施例涉及一种用于形成前体的方法，所述方法包括下列步骤中的一或多者：获得氨基硅烷，其中所述氨基硅烷为下式
【技术保护点】
1.一种前体，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中R1为甲基且R2为氢。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中R1为甲基且R2为甲基。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中R4和R5为甲基。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中R3为直链C1-C6烷基。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中R3为支链C3-C6烷基。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中R3为C3-C6环烷基。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述前体具有至少96％的纯度。
9.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种前体，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中r1为甲基且r2为氢。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中r1为甲基且r2为甲基。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中r4和r5为甲基。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中r3为直链c1-c6烷基。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中r3为支链c3-c6烷基。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中r3为c3-c6环烷基。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述前体具有至少96％的纯度。
9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述化合物为下列物质中的至少一者：
10.一种方法，其包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中r1为甲基且r2为氢。
12.根据权利要求10所述的方法，其中r1为甲基且r2为甲基。
【专利技术属性】
技术研发人员：金多慧，延蕊林，李相禛，柳忞汐，金星哲，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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