【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及前驱物材料的选择性沉积方法及相关装置。
技术介绍
1、半导体组件的制作涉及材料沉积。对于经由常规沉积工艺不易接达的表面，材料沉积失败或为不均匀的。
技术实现思路
1、一些实施例涉及一种方法。在一些实施例中，所述方法包括获得结构。在一些实施例中，所述结构包括非介电材料。在一些实施例中，所述结构包括介电材料。在一些实施例中，所述方法包括在若干条件下使所述结构与钼前驱物接触，以便在所述结构的至少一部分上获得钼材料。在一些实施例中，在所述条件下所述钼材料未沉积在所述介电材料上。
2、一些实施例涉及一种方法。在一些实施例中，所述方法包括获得结构。在一些实施例中，所述结构包括多晶硅。在一些实施例中，所述结构包括介电材料。在一些实施例中，所述方法包括在第一条件下使所述结构与钼前驱物接触，以便在所述多晶硅上获得硅化钼。在一些实施例中，在第二条件下使所述结构与所述钼前驱物接触，以便在所述硅化钼上获得钼金属。
3、一些实施例涉及一种方法。在一些实施例中，所述方法包括获得结构。...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼前驱物包括MoCl5。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括400℃或小于400℃的第一温度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括所述钼前驱物的0.01sccm到10sccm的第一流率。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括1托到100托的第一压力。
9.根据权利要求...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钼前驱物包括mocl5。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括400℃或小于400℃的第一温度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括所述钼前驱物的0.01sccm到10sccm的第一流率。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述条件包括1托到100托的第一压力。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述条件下使所述结构与第一共反应物前驱物接触。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
11.根据权利要求12...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·S·H·陈，S·D·阮，B·C·亨德里克斯，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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