一种器件，包括：衬底、位于衬底上的半导体鳍以及位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层。栅极介电层将栅电极与半导体鳍间隔开。栅电极包括位于半导体鳍上方并且与其对准的顶部，以及位于介电层的侧壁部分上的侧壁部分。栅电极的顶部具有第一功函，栅电...

用于减小栅极阻抗FinFET的方法和装置。公开了金属栅极晶体管结构，包括：多个半导体鳍，形成在半导体衬底的上方，鳍被平行配置并且隔开；包含栅电极的金属，其形成在半导体衬底上方且覆盖每个半导体鳍的沟道栅极区域，并且在半导体鳍之间的半导体衬...

本发明涉及一种背照式CMOS图像传感器，包括使用正面离子注入工艺形成在衬底上方的光电有源区域以及与该光电有源区域相邻形成的延伸的光电有源区域，其中，通过使用背面离子注入工艺来形成延伸的光电有源区域。背照式CMOS图像传感器可以进一步包括...

本公开内容提供一种制造半导体器件的方法。在衬底上方形成高-k介电层。在高-k介电层的一部分上方形成第一保护层。在第一保护层和高-k介电层上方形成第二保护层。在第二保护层上方形成伪栅电极层。图案化伪栅电极层、第二保护层、第一保护层、以及高...

本发明提供了一种防止等离子体增强栅极介电层失效的天线单元。天线单元设计利用多晶硅引线作为伪晶体管的栅极。多晶硅引线可以是一组平行内嵌的多晶硅引线中的一条。伪晶体管包括通过金属引线直接地或者通过钳低单元间接地耦合至保持在Vss的衬底的栅极...

本公开内容提供了集成电路结构，集成电路结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域的面积小于大约10微米×10微米；第一材料层，位于半导体衬底的上方，并被图案化以在第一区域中具有第一电路部件以及在第二区域中具有第一标记；以及第...

公开了测试结构、其制造方法、测试方法以及磁性随机存取存储器(MRAM)阵列。在一个实施例中，公开了测试结构。测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。测试结构包括连接在MTJ与晶体管之间的测试节点以及连...

一种器件包括：衬底；隔离区，位于衬底的表面处；以及半导体区，位于隔离区的顶面上方。导电部件被设置在隔离区的顶面上方，其中，导电部件邻近半导体区。介电材料设置在导电部件和半导体区之间。介电材料、导电部件、以及半导体区形成反熔丝。本发明还提...

提供一种使用具有一个或多个通孔的电感器的器件及其制造方法。在实施例中，在一个或多个金属化层中形成电感器。在电感器的正下方设置一个或多个通孔。通孔可以延伸穿过插入衬底和电感器之间的一个或多个介电层。此外，通孔可以完全或部分延伸穿过衬底。本...

所描述的工艺和结构的实施例提供了一种用于改善载流子迁移率的机构。通过首先分配(amortizing)源极和漏极区域，然后通过使用退火工艺在低预热温度下再结晶该区域将位错形成在位于栅极结构之间或位于栅极结构和隔离结构之间的栅极或漏极区域中...

提供了一种具有沿着侧壁的凸缘的管芯以及形成该管芯的方法。还提供了一种封装该管芯的方法。通过形成具有第一宽度的第一切口，以及然后在第一切口内形成第二切口，从而使得第二切口具有小于第一宽度的第二宽度，切割衬底(诸如，加工晶圆)。第二切口延伸...

本发明内容涉及一种晶圆吸盘，将该晶圆吸盘配置成将均匀的光刻胶层设置在工件上方。在一些实施例中，晶圆吸盘包括多个真空孔。多个真空孔(即，大于一个)与腔体流体连通，该腔体沿着真空孔之间的顶面连续延伸。将连接至每个真空孔的真空源配置成从工件下...

所描述的方法包括提供半导体衬底。在半导体衬底上方形成第一栅极结构，并且邻近第一栅极结构形成牺牲栅极结构。使用代替栅极方法，可以将牺牲栅极结构用于形成金属栅极结构。形成覆盖第一栅极结构和牺牲栅极结构的介电层。介电层在第一栅极结构的顶面上方...

本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括通过第一曝光在第一层中形成第一结构，以及确定第一结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第二曝光在位于第一层上方的第二层中形成第二结构，以及确定第二结构的布置信息。所述方法进一步...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在提供的衬底上形成多个线元件。所述多个线元件包括：第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区。所述第二宽度不同于所述第一宽度。然后形成与多个线部件中的包括偏移区的每一个的侧壁邻接的间隔...

本公开内容提供一种方法，包括提供半导体衬底并且在半导体衬底上方形成第一层和第二层。图案化第一层，以提供第一元件、第二元件、以及介于第一元件和第二元件之间的空间。然后，在第一层的第一元件和第二元件上的侧壁上形成隔离元件。随后，使用隔离元件...

本发明公开了一种存储单元和阵列以及一种形成存储单元和阵列的方法。一个实施例是一种存储单元，包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、第一传输门晶体管和第二传输门晶体管以及第一隔离晶体管和第二隔离晶体管。该第一上...

本发明描述了一种在衬底上形成图案的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成感光层，通过第一掩模使感光层暴露于第一曝光能量，通过第二掩模使感光层暴露于第二曝光能量，烘烤感光层，以及使经曝光的感光层显影。该感光层包括转变成溶于显影液的聚合物...

一种用于具有至少两级的放大器的电感峰化的共享电感器的方法，该方法包括：计算用于进行电感峰化的至少两级中的单级的单级电感，以具有稳定的脉冲响应。通过将单级电感除以至少两级的级数来计算用于电感峰化的共享电感。在至少两级之中共享至少两个具有共...

CMOS半导体管芯包括：衬底；绝缘层，位于衬底的主面的上方；多个P金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第一区域；多个N金属栅极区域，形成在绝缘层内，总体覆盖主面的第二区域，其中，第一区域与第二区域的第一比率等于或大于1；多个伪P...