本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并保护伪栅极的第二部。开口的尖端...

一种系统，包括：自动布局布线工具，基于门级电路描述生成集成电路(IC)管芯的布局。机器可读永久性存储介质包括：第一部分，通过分别在第一和第二IC管芯上形成的第一和第二电路图案的第一门级描述编码；以及第二部分，通过从工具接收的多个电路图案...

隧道场效应晶体管（TFET）包括栅电极、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有相反的导电类型。沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间。源极扩散势垒设置在沟道区域和源极区域之间。源极扩散势垒和源极区域位于栅电极下方并与栅电极重叠。源极扩...

一种器件包括再分配线，以及在该再分配线上模制的聚合物区域。该聚合物区域包括第一平坦顶面。焊接区域设置在该聚合物区域中并且与再分配线电连接。焊接区域包括不高于第一平坦顶面的第二平坦顶面。本发明提供了封装结构及其形成方法。

本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料...

提供了一种固化材料的系统和一种固化材料的方法。材料(例如，填充材料)在固化工艺中被旋转。固化系统可以包括室、支撑一个或多个工件的支撑件、以及旋转机构。旋转机构在固化工艺中旋转工件。室可以包括一个或多个热源和风扇，并且可以进一步包括控制器...

一种在接合工艺中实施回流的方法包括：将覆盖件置于下部封装元件的上方，其中，覆盖件包括与下部封装元件对准的开口。将上部封装元件置于下部封装元件的上方。上部封装元件与开口对准，在上部封装元件和下部封装元件之间设置焊料区域。将覆盖件和上部封装...

本发明公开了一种器件，该器件包括底部芯片和接合到所述底部芯片的有源顶部管芯。伪管芯附接到所述底部芯片。所述伪管芯与所述底部芯片电隔离。本发明还公开了形成芯片在晶圆的总成的方法。

本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的...

本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。...

本发明公开了一种用于安装太阳能组件中的太阳能电池板的框架件。框架件的实施方式包括具有沟槽的伸长的外套管，该沟槽设置成用于容纳置于其中的伸长的内加强件。在一些实施方式中，加强件可滑动地插入沟槽中，并且可操作地结构性地加固外套管。加强件可以...

一种利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法。一种薄膜太阳能电池及其形成方法。该太阳能电池包括底部电极层、光吸收半导体层、以及顶部电极层。该吸收剂层包括p-型内部区和在该层的周界周围由p-型内部区的改性本征区域形成的n-型外部区，从...

一种存储器位单元包括：锁存器，与锁存器相连接的写端口，以及与锁存器相连接的读端口。写端口包括：具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件，第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括：具有第三阈值电压的第三组器件，第三阈值电...

一种具有可编程抽头的判定反馈均衡器(DFE)，包括被配置为接收DFE输入信号的加法器。延迟元件连接至加法器。延迟元件串联连接。每个延迟元件都提供延迟元件的输入信号的对应延迟信号。权重发生器被配置为提供抽头权重。DFE被配置为将每个抽头权...

本发明公开了一种半导体器件的应变结构。半导体器件的示例性结构包括具有主表面的衬底；在衬底的主表面上的栅极堆叠件；设置在栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)；以及被应变结构填充的腔，该腔分布在栅极堆叠件和STI之间，其中腔包括一个由ST...

本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括设置在衬底上方的栅极。衬底具有凹槽。半导体器件包括沿着凹槽涂覆的沟槽衬垫。沟槽衬垫包括半导体晶体材料。沟槽衬垫直接邻接源极/漏极应力源器件。半导体器件还包括设置在沟槽衬...

芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块...

本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于...

本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的一个示例性结构包括：具有顶面的衬底；在衬底顶面上方延伸的第一鳍片和第二鳍片，其中，每个鳍片均具有顶面和侧壁；位于第一鳍片和第二鳍片之间的绝缘层，该绝缘层从衬底顶面沿着鳍片的一部分...