【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一伪栅极和第二伪栅极；在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极上方形成经图案化的掩模，所述经图案化的掩模暴露出所述第一伪栅极的第一段和所述第二伪栅极的第二段，同时覆盖所述第一伪栅极的第三段和所述第二伪栅极的第四段，其中，以使得所述第一段和所述第二段具有明显不同的长度的方式实施形成所述掩模的步骤；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一段和所述第二段，所述第一金属栅极和所述第二金属栅极包含第一类型金属材料；以及分别用第三金属栅极和第四金属栅极替换所述第三段和所述第四段，所述第三金属栅极和所述第四金属栅极包含不同于所述第一类型金属材料的第二类型金属材料。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，郭正诚，蔡境哲，朱鸣，杨宝如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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