带有抑噪部件的中介层以及半导体封装件制造技术

提供用于隔离和抑制半导体封装件中的诸如EM辐射的电子噪声的中介层和半导体封装件实施例。在各个实施例中，中介层包括屏蔽结构，该屏蔽结构将来自噪声源的电噪声与其他电信号或器件阻隔开。在一些实施例中，屏蔽件包括实心结构，而在其他实施例中其包括去耦电容器。连接结构包括包含在带中的多个焊球行，该多个焊球行连接部件并且包围和包含电噪声源。本发明专利技术提供了带有抑噪部件的中介层以及半导体封装件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件封装件及其元件。
技术介绍
集成电路(“1C”)被结合到多种电子器件中。IC封装发展成以使多个IC可以垂直地堆叠在所谓的三维(“3D”)封装件中，从而节省印刷电路板(“PCB”)上的水平面积。被称为2.封装件的可选的封装技术可以使用由半导体材料(诸如，硅)形成的中介层将一个或多个半导体管芯连接至PCB。可以由异质技术形成的多个IC或其他半导体管芯可以安装在该中介层上。除了连接至多个IC管芯外，该中介层还连接至PCB并且常常连接至在PCB和中介层之间设置的封装基板。一个或多个半导体管芯上的许多器件会通过发出EM辐射而引起电噪声和/或产生电磁(“EM”)干扰。RF器件和电感器是能产生电噪声和电磁(“EM”)干扰的器件的实例。噪声源(诸如，RF发射器或接收器)产生了可以通过空气传播的EM辐射形式的电噪声或导电结构(诸如，金属引线)中所携带的信号中的电噪声。EM辐射和导线中携带的噪声电信号可能影响中介层、与中介层相连接的其他半导体管芯、以及封装件的所有部件中的各个元件中的各种其他信号和器件。由此，噪声电信号和EM辐射在半导体封装中出现了严重的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种用于将半导体管芯连接至印刷电路板的中介层，所述中介层包括:主体，具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述半导体管芯的接触面通过包括多个焊球行的至少一个带连接至所述中介层的所述第一表面，所述至少一个带设置在所述半导体管芯外侧的所述接触面上并且沿着所述半导体管芯外侧的所述接触面延伸。在所述的中介层中，所述至少一个带包括围绕包括设置在所述半导体管芯的所述接触面上的EM辐射源的区域外围延伸的带，并且所述焊球行是平行的。在所述的中介层中，所述EM辐射源包括RF器件，所述RF器件是RF发射器和RF接收器中的至少一种。在所述的中介层中，所述焊球行包括三个平行的行。在所述的中介层中，所述焊球行包括两个平行的行，并且焊球沿着所述带的纵向的重复顺序包括这两行中的交替平行行中的焊球。所述的中介层进一步包括另一半导体管芯，所述另一半导体管芯与所述半导体管芯横向地间隔开并且进一步连接至所述中介层的所述第一表面。在所述的中介层中，所述多个焊球行中的每一行都包括在该行中布置的堆叠焊球对，每一对都介于所述半导体管芯的所述接触面和所述中介层的所述第一表面之间。 在所述的中介层中，在沿着所述带的长度的每个纵向位置上，一个焊球的至少一部分出现在横跨所述带的宽度的位置上。本专利技术提供了一种半导体封装件，包括:印刷电路板；半导体管芯；以及中介层，介于所述印刷电路板和所述半导体管芯之间，所述中介层具有相对的第一表面和第二表面；并且所述第一表面与所述印刷电路板相连接，并且其中，所述半导体管芯的接触面通过包括多个焊球行的至少一个带连接至所述中介层的所述第二表面，所述至少一个带沿着所述半导体管芯外侧的所述接触面延伸。在所述的半导体封装件中，所述多行是平行的行，并且所述半导体封装件进一步包括从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述中介层的多个通孔以及介于所述中介层的所述第一表面和所述印刷电路板之间的封装基板。在所述的半导体封装件中，所述至少一个带包括围绕所述半导体管芯的所述接触面的区域外围延伸的带，每条带均包括所述多行中的两行，并且其中，焊球沿着每条带的纵向的重复顺序包括这两行的交替行中的焊球。在所述的半导体封装件中，所述区域包括EM辐射源。本专利技术提供了一种用于将半导体管芯连接至印刷电路板的中介层，所述中介层包括:主体，具有相对的第一表面和第二表面以及位于其中的多个导电层，所述半导体管芯在第一位置处连接至所述中介层的所述第一表面，所述第一位置包括所述中介层的朝向所述半导体管芯的几何体部分，并且其中，所述中介层包括位于所述第一位置中的内部电磁屏蔽件，所述内部电磁屏蔽件是由所述导电层形成的电容器件。在所述的中介层中，所述多个导电层包括金属层，并且所述电容器件是由重叠的金属板形成的金属板电容器，所述重叠的金属板由所述金属层形成。在所述的中介层中，所述多个导电层包括金属层，并且所述电容器件是金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述MIM电容器具有由所述金属层形成的电极。在所述的中介层中，所述多个导电层包括至少一个金属层和至少一个半导体层，并且所述电容器件是金属-氧化物-半导体(MOS)电容器，所述MOS电容器具有由所述至少一个半导体层形成的一个电容器板和由所述至少一个金属层形成的另一个电容器板。在所述的中介层中，所述多个导电层包括金属层，并且所述电容器件是由两个电容器电极形成的金属-氧化物-金属(MOM)电容器,每个电容器电极均包括由至少一个所述金属层形成的多条指状引线。在所述的中介层中，所述多个导电层包括金属层，并且所述电容器件是由两个电容器电极形成的金属-氧化物-金属(MOM)电容器，电容器电极由多个所述金属层中的第一金属层形成，所述两个电容器电极中的第一个电容器电极包括连接在一起的多个第一平行引线，而所述两个电容器电极中的第二个电容器电极包括连接在一起的多个第二平行引线，所述第一平行引线交替地设置在相邻的所述第二平行引线之间。在所述的中介层中，所述多个导电层包括金属层，并且所述电容器件是由两个电容器电极形成的金属-氧化物-金属(MOM)电容器,所述两个电容器电极中的第一个电容器电极由所述金属层中的第一金属层形成并包括连接在一起的多个第一平行引线，而所述两个电容器电极中的第二个电容器电极由所述金属层中的第二金属层形成并包括连接在一起的多个第二平行引线，所述第一平行引线和所述第二平行引线被设置为彼此垂直。在所述的中介层中，所述中介层包括位于其中的电路，并且所述电容器件是去耦电容器，所述去耦电容器使所述电路的一部分与所述电路的另一部分去耦。本专利技术还提供了一种用于将半导体管芯连接至印刷电路板的中介层，所述中介层包括:基板体，具有相对的第一表面和第二表面；多个导电层，设置在所述基板体上的介电材料中，其中，所述导电层中的一个导电层包括第一金属引线，而所述导电层中的另一个导电层包括第二金属引线，其中，所述第一金属引线通过屏蔽件与所述第二金属引线屏蔽开，所述屏蔽件包括所述导电层中的至少一个中介导电层的部分；所述第一金属引线沿着所述中介层的纵向延伸，并且所述屏蔽件连续横向地延伸跨过所述第一金属引线和所述第二金属引线之间的所述中介层的横向上的至少大部分；并且其中，所述导电层由金属材料或半导体材料形成。所述的中介层进一步包括多个通孔，所述多个通孔从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述中介层；并且其中，每个所述中介导电层都是接地的。在所述的中介层中，所述屏蔽件包括通过导电接触件或半导体接触件连接在一起的多个所述中介导电层。在所述的中介层中，所述屏蔽件形成所述金属材料或半导体材料的连续构件，并且不存在从所述第一金属引线到所述第二金属引线穿过所述屏蔽件的电介质路径。在所述的中介层中，所述第一金属引线携带噪声电信号，而所述第二金属引线携带另一信号，并且所述屏蔽件将所述第二金属引线与来自所述第一金属引线的电噪声屏蔽开。在所述的中介层中，所述第一金属引线设置在所述屏蔽件上方并且所述屏蔽件的宽度是所述第一金属引线的宽度的至少20倍。在所述的中介层中，所述屏蔽件由所述中介导电层中的至少第一中介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将半导体管芯连接至印刷电路板的中介层，所述中介层包括：主体，具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述半导体管芯的接触面通过包括多个焊球行的至少一个带连接至所述中介层的所述第一表面，所述至少一个带设置在所述半导体管芯外侧的所述接触面上并且沿着所述半导体管芯外侧的所述接触面延伸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭丰维，李惠宇，陈焕能，陈妍臻，林佑霖，周淳朴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：