半导体结构及形成半导体结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构。半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上，并且该第二III-V族化合物层在组成上与第一III-V族化合物层不同。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。载流子沟道耗尽层设置在第二III-V族化合物层上。所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分载流子沟道耗尽层位于至少一部分栅电极的下方。本发明专利技术还公开了形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体结构，更具体地说，涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)和形成高电子迁移率晶体管的方法。
技术介绍
在半导体技术中，由于其特性，III族-V族(或者II1-V族)半导体化合物用于形成各种集成电路器件，如闻功率场效应晶体管、闻频率晶体管、或闻电子迁移率晶体管 (HEMT)。HEMT是场效应晶体管，在具有不同带隙的两种材料之间引入结(即异质结)作为沟道而不是掺杂区，正如通常用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的情况。与 MOSFET相比，HEMT具有许多优良特性，这包括高电子迁移率以及在高频率下传播信号的能力等。从应用角度来说，增强型(E型)HEMT具有许多优点。E型HEMT允许消除负极电压电源并因而降低电路复杂性和成本。尽管具有如上所述的优良特性，但是一些挑战也与开发基于II1-V族半导体化合物的器件并存。针对这些II1-V族半导体化合物的结构和材料的各种技术已经用于尝试并进一步改进晶体管器件性能。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，该半导体结构包括第一 II1-V族化合物层；第二 II1-V族本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一III?V族化合物层；第二III?V族化合物层，所述第二III?V族化合物层设置在所述第一III?V族化合物层上，并且在组成上与所述第一III?V族化合物层不同，其中，载流子沟道位于所述第一III?V族化合物层和所述第二III?V族化合物层之间；源极部件和漏极部件，所述源极部件和所述漏极部件设置所述第二III?V族化合物层上；栅电极，所述栅电极设置在位于所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III?V族化合物层的上方；以及载流子沟道耗尽层，所述载流子沟道耗尽层设置在所述第二III?V族化合物层上，其中，所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分所述载流子沟道耗尽...

【技术特征摘要】
2011.10.11 US 13/270,5021.一种半导体结构,包括 第一 II1-V族化合物层； 第二 II1-V族化合物层，所述第二 II1-V族化合物层设置在所述第一 II1-V族化合物层上，并且在组成上与所述第一 II1-V族化合物层不同，其中，载流子沟道位于所述第一II1-V族化合物层和所述第二 II1-V族化合物层之间； 源极部件和漏极部件，所述源极部件和所述漏极部件设置所述第二 II1-V族化合物层上； 栅电极，所述栅电极设置在位于所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二 II1-V族化合物层的上方；以及 载流子沟道耗尽层，所述载流子沟道耗尽层设置在所述第二 II1-V族化合物层上，其中，所述载流子沟道耗尽层采用等离子体沉积并且一部分所述载流子沟道耗尽层位于至少一部分所述栅电极的下方。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，位于所述栅电极下方的所述载流子沟道包括耗尽区。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述载流子沟道耗尽层耗尽一部分所述载流子沟道。4.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括氟(F)区，所述F区被嵌于所述栅电极下方的所述第二 II1-V族化合物层中。5.一种半导体结构，包括 氮化镓(GaN)层，所述氮化镓(GaN)层设置在衬底上； 氮化铝镓(AlGaN)层，所述氮化铝镓(AlGaN)层设置在所述GaN层上，其中，载流子沟道位于所述GaN...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚福伟，许竣为，游承儒，余俊磊，杨富智，熊志文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：