存储单元布局制造技术

一种半导体体结构包括第一带状单元、第一读取端口以及第一VSS端。第一带状单元具有第一带状单元VSS区域。第一读取端口具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口位线区域以及第一读取端口聚合物区域。第一VSS端被配置成将第一带状单元VSS区域与第一读取端口VSS区域电连接。本发明专利技术还提供了一种存储单元布局。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是存储单元的布局。
技术介绍
集成电路的电路元件布局在很大程度上影响着电路的性能和管芯面积。例如，与 其他电路相比，没有优化的布局可能导致电路具有额外的线路和/或额外的负载。该额外 的线路增加了整个电路的管芯面积。在一些情况下，额外的负载降低了存储器宏的读取速度。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体结 构，包括第一带状单元，具有第一带状单元参考电压(VSS)区域；第一读取端口，具有第一 读取端口 VSS区域、第一读取端口读取位线区域和第一读取端口聚合物区域；以及第一 VSS 端，被配置为将所述第一带状单元VSS区域与所述第一读取端口 VSS区域电连接。该半导体结构还包括第二带状单元，具有第二带状单元VSS区域；第二读取端 口，具有第二读取端口 VSS区域，第二读取端口读取位线区域和第二读取端口聚合物区域； 以及第二 VSS端，被配置为将所述第二带状单元VSS区域与所述第二读取端口 VSS区域电 连接，其中，所述第一 VSS端和所述第二 VSS端电连接在一起；所述第一读取端口属于存储 器宏的第一段；而所述第二读取端口属于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一带状单元，具有第一带状单元参考电压(VSS)区域；第一读取端口，具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口读取位线区域和第一读取端口聚合物区域；以及第一VSS端，被配置为将所述第一带状单元VSS区域与所述第一读取端口VSS区域电连接。

【技术特征摘要】
2011.10.06 US 13/267,2351.一种半导体结构,包括 第一带状单元，具有第一带状单元参考电压(VSS)区域； 第一读取端口，具有第一读取端口 VSS区域、第一读取端口读取位线区域和第一读取端口聚合物区域；以及 第一 VSS端，被配置为将所述第一带状单元VSS区域与所述第一读取端口 VSS区域电连 接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括 第二带状单元，具有第二带状单元VSS区域； 第二读取端口，具有第二读取端口 VSS区域，第二读取端口读取位线区域和第二读取端口聚合物区域；以及 第二 VSS端，被配置为将所述第二带状单元VSS区域与所述第二读取端口 VSS区域电连接， 其中， 所述第一 VSS端和所述第二 VSS端电连接在一起； 所述第一读取端口属于存储器宏的第一段；而 所述第二读取端口属于所述存储器宏的第二段。3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括 第三读取端口，属于所述第一段； 第四读取端口，属于所述第二段；以及 第三VSS接触端，被配置为将所述第三读取端口的第三读取端口 VSS区域与所述第四读取端口的第四读取端口 VSS区域相连接。4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括 第二读取端口，具有第二读取端口读取位线区域；以及 第一读取位线接触端，被配置为将所述第一读取端口读取位线区域与所述第二读取端口读取位线区域电连接。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中， 所述第一读取端口 VSS区域对应于所述第一读取端口的第一晶体管的源极区域； 所述第一读取端口读取位线区域对应于所述第一读取端口的第二晶体管的漏极区域；以及 所述第一读取端口聚合物区域对应于所述第二晶体管的栅极区域。6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括 第二带状单元，所述第一带状单元属于存储器宏的第一列，所述第二带状单元属于所述存储器宏的第二列； 第一带状单元聚合物端，被配置为将所述第一带状单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：张美菁，陶昌雄，邓儒杰，许国原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：