用于设计半导体装置的方法和系统制造方法及图纸

提供了设计半导体装置的方法和用于设计半导体装置的系统。设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；并检验标准单元布局。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2014年10月1日在美国专利商标局(USPTO)提交的第62/058,266号临时申请，以及2015年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0037521号韩国专利申请的优先权，这些申请的公开内容通过引用全部包含于此。
与示例性实施例一致的方法和系统涉及一种用于设计半导体装置的方法和系统。
技术介绍
通过在诸如半导体晶片的基底上图案化器件和互连件来制造半导体装置。可以通过使用电子设计自动化(EDA)设计集成电路(IC)来制造半导体装置，电子设计自动化(EDA)使设计者能够安置并连接电路的各种组件以彼此交互。换而言之，可以使用EDA创造半导体装置的布局。半导体装置的布局包括电路组件、互连线以及各个层的物理位置和尺寸。可以通过将半导体装置的这种布局转移到半导体基底上来制造半导体装置。然而，在使用该布局制造半导体装置之前，半导体装置的布局必须先通过检验工艺。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面在于提供一种按照将标准单元中的鳍节距和轨道数目最优化的方式设计半导体装置的方法。本专利技术构思的另一方面在于提供一种按照将标准单元中的鳍节距和轨道数目最优化的方式设计半导体装置的系统。然而，本专利技术构思的方面不受限于这里所阐述的方面。通过参照下面给出的对本专利技术构思的具体描述，上述和其他方面对于本专利技术构思所属的领域的技术人员将变得更加明显。>根据示例性实施例的一方面，提供了一种设计半导体装置的方法，该设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；以及检验标准单元布局。根据示例性实施例的另一方面，提供了一种设计半导体装置的方法，该设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定第一鳍节距和第二鳍节距，使得具有第一鳍节距的多个有源鳍安置在有源区中并且使得具有第二鳍节距的多个虚设鳍安置在虚设区中；确定多个有源鳍中的有源鳍与多个虚设鳍中的虚设鳍之间的第三鳍节距，使得虚设鳍分别安置在标准单元布局的在单元高度的方向上彼此面对的边界线上；以及使用第一鳍节距至第三鳍节距在有源区中安置有源鳍并在虚设区安置虚设鳍。根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种用于设计半导体装置的系统，该系统包括：处理器；和存储器，存储使用处理器执行的操作模块，其中，操作模块接收包括有源区和虚设区的标准单元布局，确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距，并使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍。附图说明以上和其他的方面和特征通过参照附图详细地描述其示例性实施例将变得更明显，在附图中：图1是示出了根据示例性实施例的设计半导体装置的方法的流程图；图2是更详细地示出了图1的方法的框图；图3和图4是根据图1的方法设计的示例标准单元布局的示图；图5是示出了根据图1的方法设计的标准单元布局的数字的表格；图6是根据示例性实施例的用于设计半导体装置的系统的框图；图7是示出了根据另一个示例性实施例的设计半导体装置的方法的流程图；图8是示出了根据另一个示例性实施例的设计半导体装置的方法的流程图；图9是根据另一个示例性实施例的用于设计半导体装置的系统的框图。具体实施方式现在在下文将参照其中示出了示例性实施例的附图更充分地描述示例性实施例。然而，专利技术构思可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为受限于这里阐述的示例性实施例。相反，这些示例性实施例被提供使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达专利技术构思的范围。在整个说明书中相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清晰起见夸大了层和区域的厚度。还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在该另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，诸如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上面的”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其他方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述语。除非这里另外指出或上下文明显矛盾，否则术语“一个(种)”和“所述(该)”及类似用语在描述示例性实施例的环境中的使用，尤其是在权利要求书的环境中的使用将理解为涵盖单数形式和复数形式。除非另有说明，否则术语“包含”、“具有”、“包括”和“含有”将理解为开放式术语(即，意味着“包括，但不限于，”)。除非另有定义，否则这里使用的所有技术术语和科学术语具有与专利技术构思所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。注意的是，除非另外指出，否则这里提供的任何和所有示例或者示例性术语的使用仅意在更好地对专利技术构思进行举例说明，并不对专利技术构思的范围造成限制。此外，除非另有定义，否则在通用的字典中定义的所有术语不会过度解释。将参照其中示出了示例性实施例的透视图、剖视图和/或平面图来描述本专利技术构思。因此，示例性视图的轮廓可以根据制造技术和/或公差作出修改。即，示例性实施例不是意在示出的精确的视图，而是涵盖由于制造工艺的变化可以导致的所有变化和修改。因此，图中示出的区域以示意形式示出，区域的形状仅仅通过举例说明的方式给出，而不是作为限制。现在将参照图1至图5描述根据示例性实施例的设计半导体装置的方法。图1是示出了根据示例性实施例的设计半导体装置的方法的流程图。图2是具体地示出了图1的方法的框图。图3和图4是根据图1的方法产生的示例标准单元布局(standardcelllayout，或称为“标准单元布图”或“标准单元版图”)的示图。图5是示出了根据图1的方法产生的标准单元布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设计半导体装置的方法，所述方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；以及检验标准单元布局。

【技术特征摘要】
2015.03.18 KR 10-2015-0037521;2014.10.01 US 62/0581.一种设计半导体装置的方法，所述方法包括：
提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；
确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中
的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；
使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍
并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；以及
检验标准单元布局。
2.如权利要求1所述的设计半导体装置的方法，其中，第一鳍节距和第
二鳍节距是不同的。
3.如权利要求1所述的设计半导体装置的方法，所述设计半导体装置的
方法还包括确定第二有源鳍与第一虚设鳍之间的第三鳍节距。
4.如权利要求3所述的设计半导体装置的方法，其中，第一鳍节距至第
三鳍节距彼此不同。
5.如权利要求1所述的设计半导体装置的方法，所述设计半导体装置的
方法还包括在标准单元布局中安置第一金属线至第n金属线，其中，第一金
属线至第n金属线被安置成使得相邻金属线之间的第一金属节距至第n-1金
属节距是相等的。
6.如权利要求5所述的设计半导体装置的方法，其中，标准单元布局的
单元高度是CH，第一金属节距至第n-1金属节距中的每个金属节距是MetP，
并且CH＝R×MetP，其中，R是有理数。
7.如权利要求6所述的设计半导体装置的方法，其中，第二有源鳍与第
一虚设鳍之间的节距是第四鳍节距，其中，第一鳍节距、第二鳍节距和第四
鳍节距彼此不同。
8.如权利要求7或1所述的设计半导体装置的方法，所述设计半导体装
置的方法还包括在标准单元布局的至少一个边界线上安置第三虚设鳍。
9.如权利要求1所述的设计半导体装置的方法，所述设计半导体装置的
方法还包括使用标记限定有源区和虚设区。
10.一种设计半导体装置的方法，所述方法包括：
提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；
确定第一鳍节距和第二鳍节距，使得具有第一鳍节距的多个有源鳍安置
在有源区中并且使得具有第二鳍节距的多个虚设鳍安置在虚设区中；
确定多个有源鳍中的有源鳍与...

【专利技术属性】
技术研发人员：白尚训，宋泰中，梁箕容，都桢湖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR