标准单元、半导体集成电路和标准单元的布局生成方法技术

本发明专利技术提供一种标准单元、半导体集成电路和标准单元的布局生成方法。对在自动配置布线中使用的标准单元，在标准单元的内部而不是外部形成为了抑制供给电源电位的电源布线的ＩＲ－Ｄｒｏｐ而形成的电源电容，并防止面积的增大。在由Ｐ沟道晶体管区域（１０２）和Ｎ沟道晶体管区域（１０３）构成的标准单元（１０１）中，在与Ｐ沟道晶体管区域（１０２）的Ｐ沟道功能晶体管形成区域（１０４）相对且除Ｎ沟道晶体管区域（１０３）内的Ｎ沟道功能晶体管形成区域（１０５）以外的间隙区域内，形成电源电容形成区域（１０６），并将布线电阻（１１４）削减为布线电阻（１１５）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路和在半导体集成电路中使用的标准单元，特别涉及内部具有电源电容的标准单元、包括该标准单元的半导体集成电路和标准单元的布局生成方法。
技术介绍
在近年来的大规模半导体集成电路中，为了在短期间内设计出例如动作频率提高或耗电量低等的高性能半导体集成电路，广泛地采用了使用了标准单元的自动配置布线。另外，在上述标准单元中，包括反相电路、NAND电路、OR电路之类的逻辑单元及触发电路、锁存电路之类的顺序单元等。这里，将用于构成这样的标准单元的电路的晶体管称为功能晶体管。以下，在图13中示出基于自动配置布线的半导体集成电路的现有设计方法的一例。在自动配置布线中，首先，进行有可能在网表(netlist)中使用的标准单元的布局生成工序S1301。这里，进行标准单元的布局生成工序S1301还包括这样一种单元的生成，该单元(以下，称为电源电容单元)不包含标准单元的功能晶体管，而只对电源布线构成电源电容分量(以下，称为电源电容)。另外，除该工序S1301以外，还从功能描述的RTL(Resistor transferlevel)起，用工序S1303中得到的时序限制信息及耗电量信息本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种标准单元，在基于自动配置布线的ＬＳＩ设计中使用，并具有Ｐ沟道晶体管区域和Ｎ沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于：上述Ｐ沟道晶体管区域具有形成Ｐ沟道功能晶体管的Ｐ沟道功能晶体管形成区域，上述Ｎ沟道晶体管区域具有形成Ｎ沟道功能晶体管的Ｎ沟道功能晶体管形成区域；在与上述Ｐ沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述Ｎ沟道晶体管区域内的上述Ｎ沟道功能晶体管形成区域以外的区域，和与上述Ｎ沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述Ｐ沟道晶体管区域内的上述Ｐ沟道功能晶体管形成区域以外的区域的至少一个区域内形成电源电容元件。

【技术特征摘要】
JP 2004-9-16 269544/20041.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；在与上述P沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述N沟道晶体管区域内的上述N沟道功能晶体管形成区域以外的区域，和与上述N沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述P沟道晶体管区域内的上述P沟道功能晶体管形成区域以外的区域的至少一个区域内形成电源电容元件。2.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；在由上述P沟道功能晶体管形成区域和上述N沟道功能晶体管形成区域围成的区域内形成电源电容元件。3.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；在由上述P沟道功能晶体管形成区域、上述N沟道功能晶体管形成区域、以及上述标准单元的端部所围成的区域内形成电源电容元件。4.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；在多个上述功能晶体管形成区域以外的间隙区域内形成电源电容元件。5.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；该标准单元还具有形成衬底接触盘的衬底接触盘形成区域；在由上述衬底接触盘形成区域与上述P沟道功能晶体管形成区域和上述N沟道功能晶体管形成区域的至少一个区域所围成的区域内形成电源电容元件。6.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；该标准单元还具有形成衬底接触盘的衬底接触盘形成区域；在由上述衬底接触盘形成区域、上述P沟道功能晶体管形成区域和上述N沟道功能晶体管形成区域的至少一个区域、以及上述标准单元的端部所围成的区域内形成电源电容元件。7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的标准单元，其特征在于上述电源电容元件，形成在结构与上述功能晶体管相同的P沟道或N沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田敦志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]