消除DDR3负载差异影响的传输线结构及形成方法、内存结构技术

一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构及形成方法、内存结构，所述形成方法包括确定第一类传输线和第二类传输线的本征参数；基于第一类传输线的本征参数和第一负载的负载容值确定第一类传输线的第一等效参数；基于第二类传输线的本征参数和第二负载的负载容值确定第二类传输线的第二等效参数；根据第一等效参数确定第一类传输线在第一负载下的目标延迟；调整第二等效参数至第三等效参数，以使第二类传输线在第二负载下的等效延迟与第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配；分别基于第一等效参数和第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线，基本传输线和特殊传输线构成所述传输线结构。本技术方案提高了信号传输中信号的时序完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及内存
，特别涉及一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构及形成方法、内存结构。
技术介绍
内存是计算机中重要的部件之一，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，因此内存的性能好坏对于计算机的影响很大。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)以及高速缓存(Cache)。其中，随机存储器是最重要的存储器，计算机的CPU可以从中读取数据，也可以写入数据，但当计算机关闭时，存于其中的数据就会丢失。随着技术的发展，随机存储器的存取速度在不断提高、其容量也在不断增大。现如今，同步动态随机存储器(SynchronousDynamic Random Access Memory,SDRAM)在计算机、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域广泛应用，其中同步是指存储器工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以同步时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。目前，SDRAM已发展到了第四代，即通常所说的DDR3 SDRAM，相比于前一代产品DDR2 SDRAM,DDR3 SDRAM具有更高的运行效能和更低的电压。但是现有技术中，随着DDR3 SDRAM高速接口信号的频率不断增加，对接口信号的时序完整性(即上文所述的存储器工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以同步时钟为基准)的要求越来越严格。通常在DDR3的地址/命令/控制/时钟信号的传输中，采用的是一种串推形式的传输线结构将内存控制器发出的信号传输到内存模组中，但是由于不同种类的信号驱动的信号负载个数(即存储器的个数)不同，例如，地址/命令信号驱动的负载较多，而控制/时钟信号驱动的负载较少，这样的负载差异将导致信号传输延迟偏斜的差异。更多关于内存以及传输线结构的技术方案可以参考公开号为US2007263475A1的美国专利申请文件使用共模差分的DDR2 SDRAM的数据信号控制信号的传输(UsingCommon Mode Differential Data Signals Of DDR2 SDRAM For Control SignalTransmi ss ion),但同样没有解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是在内存控制器向内存模组传输信号过程中，消除传输线上由于不同种类信号驱动的负载差异而引起的传输延迟偏斜差异，提高信号传输中信号的时序完整性。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构的形成方法，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；包括确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数；基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数；基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参；根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟；调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配；分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线，所述基本传输线和特殊传输线构成所述传输线结构。可选地，所述确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数包括根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第一类传输线的本征参数；根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第二类传输线的本征参数。可选地，基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数包括根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数。可选地，基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数包括根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数。可选地，所述根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟包括根据所述第一类传输线的长度以及信号在所述第一类传输线上的传输速度确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟。可选地，所述调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配包括调整所述第二类传输线的参数以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配。可选地，所述调整所述第二类传输线的参数调整所述第二类传输线的线长或者线宽或者线厚，以使所述第二等效参数变化成第三等效参数。可选地，所述调整所述第二类传输线的参数包括改变印制板的基材的材料，以使所述第二等效参数变化成第三等效参数，其中所述印制板承载所述第二类传输线。可选地，所述分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线具体包括在第一负载下，根据所述第一等效参数形成基本传输线；在第二负载下，根据所述第三等效参数形成特殊传输线。可选地，所述第一类传输线用于向DDR3 SDRAM传输地址信号和命令信号、所述第二类传输线用于向DDR3 SDRAM传输时钟信号和控制信号。本专利技术实施例还提供了一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；在所述传输线结构中，在第一负载下，所述第一类传输线为基于第一等效参数形成的基本传输线；在第二负载下，所述第二类传输线为基于第三等效参数形成的特殊传输线，其中所述特殊传输线在第二负载下传输信号的等效延迟与所述基本传输线在第一负载下传输信号的目标延迟相匹配。可选地，所述基本传输线的第一等效参数是根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第一负载的负载容值确定的。可选地，所述特殊传输线的第三等效参数是根据调整后的所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第二负载的负载容值确定的。本专利技术实施例还提供了一种内存结构，包括内存控制器、内存模组以及上述传输线结构；其中所述内存控制器通过所述传输线结构中的第一类传输线和第二类传输线控制管理所述内存模组。可选地，所述内存控制器通过所述第一类传输线向所述内存模组传输地址信号和命令信号；所述内存控制器通过所述第二类传输线向所述内存模组传输时钟信号和控制信号。可选地，所述内存模组包括多个存储器，其中所述存储器是同步动态随机存储器或者动态随机存储器。与现有技术相比，本专利技术技术方案具有以下有益效果针对分别在第一负载和第二负载下传输信号的第一类传输线和第二类传输线，其中第一负载大于第二负载；根据所述第一负载下传输信号的第一类传输线的第一等效参数确定其传输信号的传输延迟，并作为目标延迟；调整在所述第二负载下传输信号的第二类传输线的第二等效参数至第三等效参数，使得传输信号的等效延迟与所述目标延迟相匹配；根据第一等效参数设置基本传输线，根据第三等效参数设置特殊传输线，形成传输线结构，从而消除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构的形成方法，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；其特征在于，包括：确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数；基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数；基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数；根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟；调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配；分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线，所述基本传输线和特殊传输线构成所述传输线结构。

【技术特征摘要】
1.一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构的形成方法，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；其特征在于，包括 确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数； 基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数； 基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数； 根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟； 调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配； 分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线，所述基本传输线和特殊传输线构成所述传输线结构。2.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数包括 根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第一类传输线的本征参数； 根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第二类传输线的本征参数。3.根据权利要求2所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述传输线的第一等效参数包括根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数。4.根据权利要求2所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数包括根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数。5.根据权利要求3所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟包括根据所述第一类传输线的长度以及信号在所述第一类传输线上的传输速度确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟。6.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配包括调整所述第二类传输线的参数以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：高剑刚，王彦辉，刘耀，丁亚军，王玲秋，李滔，贾福桢，
申请(专利权)人：无锡江南计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：