【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及离子注入检测装置。
技术介绍
自从专利技术集成电路以来，半导体行业由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)集成密度的改进而经历了快速增长。这种集成密度的改进源于半导体工艺节点的缩小(例如，朝向小于20nm的节点缩小工艺节点)。由于不断需要微型化,进一步缩小工艺节点可能增加制造集成电路的复杂性。随着半导体技术的发展，半导体制造工艺也越来越复杂，因此需要复杂的设备和装置。在半导体工艺中，在半导体晶圆上制造集成电路。在通过切割半导体晶圆分离多个 集成电路之前，半导体晶圆经过多个处理步骤。处理步骤可以包括光刻、蚀刻、掺杂和淀积不同的材料。离子注入是一种向晶圆掺杂不同的原子或分子的处理技术。通过采用离子注入，大部分的电荷载流子可能会改变，从而使晶圆上的区域具有不同导电类型和不同导电水平。在离子注入机中，离子发生器可以产生离子束，并将离子束对准目标晶圆。根据离子束的横截面，离子注入工艺可以划分为两类，即，具有矩形截面的带状束和具有圆形截面的点状束。此外，为了实现目标晶圆上均匀的离子分布，扫描要注入的晶圆或者...
【技术保护点】
一种装置，包括：晶圆保持器，被配置成支撑晶圆；第一传感器，被配置成与所述晶圆保持器同时移动，其中，所述第一传感器和所述晶圆保持器位于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内；以及第一测流计，连接至所述第一传感器，用于接收来自所述第一传感器的第一感测信号。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张钧琳，黃至鸿，郑迺汉，杨棋铭，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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