在工件的离子植入期间处理束流异常制造技术

在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及工件的离子植入，且尤其涉及使用离子植入来形成太阳能电池。
技术介绍
离子植入为一种用以将改变导电率的杂质(conductivity-alteringimpurities) 引入工件中的标准技术。在离子源中离子化所需的杂质材料，使这些离子加速以形成具规定能量的离子束，且将这些离子束导向工件的表面。离子束中的高能离子穿入工件材料的主体中，并嵌入至工件材料的晶格(crystalline lattice)中，以形成一具有所需导电率的区域。太阳能电池为使用硅工件的装置的一实例。任何对于高效能太阳能电池制造或生产的成本减少、或是任何对高效能太阳能电池的效率改良，对于太阳能电池的制作会有全球性的正面影响。这将使洁净能源技术(clean energy technology)能有更广的可用性 (availability)。有许多不同的太阳能电池架构。两种特殊的设计为选择性射极(selective emitter, SE)以及指叉背接触(interdigitated backside contact, IBC)。SE 太阳能电池具有遍及(across)浅掺杂表面的高剂量区，而能使浅掺杂区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉塞尔·J·罗，阿塔尔·古普塔，威廉·T·维弗，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：