使用离子植入修改衬底图案特征的方法及系统技术方案

一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用离子植入修改衬底图案特征的方法及系统
本专利技术的实施例涉及一种组件的制造方法的领域。特别是，本专利技术涉及用于图案化衬底和用于植入衬底以制造组件的一种方法、系统和结构。
技术介绍
制造电子组件经常使用光学微影。光学微影为图案化衬底的制程，藉由线路可根据图案而形成于衬底上。参照图1a至图le，显示光学微影制程的简图。一般而言，于衬底 112上涂布光硬化聚合光刻胶114 (图1a)。之后,具有所需的孔隙图案(aperture pattern) 的光罩142配置于衬底114和光源(未显不)之间。来自光源的光10通过光罩142的孔隙照射到衬底112，且传输穿过光罩的孔隙(或者图案的影像)的光投影到光刻胶114。光刻胶部分114a曝露于光10且硬化，而其余的光刻胶部分114b保持未硬化(图1b)。因此， 光罩的孔隙的影像可以藉由硬化的光刻胶部分114a而形成。如图1c所示，剥离未硬化的光刻胶部分114b，而对应于光罩的孔隙图案的三维 (3D)光刻胶特征(feature)或地貌(relief) 114a可以保留在衬底112上。此后,对衬底进行蚀刻，且可形成对应于光罩的孔隙图案的负影像的沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.11 US 13/046,1361.一种处理光刻胶特征的方法，包括 在制程腔室中产生等离子体，所述制程腔室具有等离子体鞘，所述等离子体鞘邻近于衬底的第一表面，所述衬底的所述第一表面面对所述等离子体鞘；以及 以等离子体鞘修改器修改所述等离子体和所述等离子体鞘之间定义的边界的形状，其中部分的所述边界的形状不平行于由所述衬底的所述第一表面定义的平面，其中来自所述等离子体的离子相对于所述平面以一个角度范围撞击所述衬底的表面。2.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述修改的操作包括产生由一对构件定义的间距，所述构件包括绝缘体、半导体和金属其中之一；以及 其中所述间距附近的所述边界的形状相对于所述平面是凸状。3.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述修改的操作包括产生在板材中的间距，所述板材包括绝缘体、导体和半导体其中之一；以及 其中所述间距附近的所述边界的形状相对于所述平面是凸状。4.根据权利要求2所述的处理光刻胶特征的方法，其中入射角度的所述范围以大约O度为中心介于大约正60度和负60度之间。5.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述离子的能量和种类经配置以实质上降低在所述衬底上的图案化光刻胶特征的线宽粗糙度。6.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中第一曝露足以产生低频率线宽粗糙度的实质上的降低。7.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中来自所述等离子体的所述离子是惰性气体离子。8.一种图案化衬底的方法，包括 提供第一组图案化光刻胶特征在衬底上； 曝露所述第一组图案化光刻胶特征于自等离子体鞘修改器提取的离子的第一曝露，所述等离子体鞘修改器可操作地相对于所述衬底提供多重角度范围的离子入射到所述衬底上；以及 于所述衬底上实施微影图案化制程，以形成第二组图案化光刻胶特征。9.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中利用双图案化微影制程以形成所述第一组图案化光刻胶特征和所述第二组图案化光刻胶特征。10.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中操作所述第一曝露以硬化所述第一组图案化光刻胶特征，所述第一组图案化光刻胶特征于所述微影图案化制程时保留完整以形成所述第二组图案化光刻胶特征。11.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中所述等离子体鞘修改器包括第一绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维克·葛特，派崔克·M·马汀，提摩太·J·米勒，维克拉姆·辛，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：