【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于借助微波生成等离子体用来对衬底进行CVD涂层的装置，其中，装置具有反应气体可被输送到的真空箱和布置在其中的、与用于耦合输入微波的装置相连接的电导体。
技术介绍
除了从实践中公知的蒸发或溅射技术之外，也可以使用基于化学气相沉积的涂层方法用于制造薄层。以下也将这样的涂层方法称作为CVD方法(来自英语chemical vapour deposition (化学气相沉积))。由于来自气相的化学反应而在衬底的所加热的表面上沉积固体组分。至少一种气体状原始化合物和两种反应产物必须参与化学反应，所述反应产物中的至少一种以固体相存在。用CVD涂层方法也可以在衬底的复杂成形的表面情况下实现均匀的涂层。通过等离子体辅助的化学气相沉积，可以减小衬底的温度负荷。为此目的，相邻于衬底表面地例如用微波生成等离子体，以便由等离子体激发原始化合物(通常是反应气体)，并且辅助对于涂层所需要的化学反应。在用于CVD涂层的公知的装置中(DE 38 30 249 C2)，通过多个用于耦合输入微波的矩阵形布置的装置在要涂层的衬底表面之上生成大面积的等离子体。在此，将矩阵形地布置在平...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.11.11 DE 102009044496.31.用于借助微波生成等离子体用来对衬底进行CVD涂层的装置，具有反应气体可被输送到的真空箱(2)和具有布置在其中的、与用于耦合输入微波的装置(6)相连接的电导体(3)，其特征在于，电导体(3)在其两个端部处分别与用于耦合输入微波的装置(6)相连接，电导体(3)与电压源(7)相连接，用所述电压源(7)可以在电导体(3)和周围的真空箱(2)之间生成电位差，并且电导体(3)相对于用于耦合输入微波的装置(6)电绝缘或脱耦。2.按照权利要求1的装置，其特征在于，电导体(3)是连接到冷却液容器上的空心的导体。3.按照权利要求1的或权利要求2的装置，其特征在于，电导体(3)具有棒状的造型。4.按照权利要求1的或权利要求2的装置，其特征在于，电导体(3)具有弯曲的走向。5.按照以上...
【专利技术属性】
技术研发人员：H米格，KM鲍姆格特纳，M凯泽，L阿尔贝茨，
申请(专利权)人：米格有限责任公司，
类型：
国别省市：
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