刻蚀电极机中的下电极装置制造方法及图纸

技术编号:8474634 阅读:162 留言:0更新日期:2013-03-24 19:45
刻蚀电极机中的下电极装置,包括承载盘(1)、支撑座(2),所述的支撑座(2)上面设置有承载盘(1),承载盘(1)与支撑座(2)按对应位置焊接为一体。本实用新型专利技术结构简单,操作方便,具有对晶圆片吸附能力、有绝缘性,同时对刻蚀过程产生的热量有冷却功能,能够保证加工质量,提高工作效率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体介质刻蚀机,尤其涉及刻蚀电极机中的下电极装置
技术介绍
电介质刻蚀机是半导体芯片加工的关键设备,而电介质刻蚀机中实现晶圆刻蚀功能的是上、下两个电极组成的电极装置。其中上电极接1000V左右的正电,实现对等离子刻蚀气体的分配和控制功能,下电极与大地连接,也称为负极。上、下两电极间形成高压电场对通过上电极的等离子工作气体进行加速,经加速后的工作气体对放置在下电极上的晶圆进行高速轰击,从而产生刻蚀作用。为了实现所述的工作原理,要求下电极具有对晶圆片吸附能力、有绝缘性,同时对刻蚀过程产生的热量有冷却的功能。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有对晶圆片吸附能力、有绝缘性,同时对刻蚀过程产生的热量有冷却功能的刻蚀电极机中的下电极装置。本技术的目的是这样实现的,刻蚀电极机中的下电极装置,包括承载盘、支撑座,其特征在于所述的支撑座上面设置有承载盘,承载盘与支撑座按对应位置焊接为一体。本技术所述的承载盘包括冷却液入口、沟槽、冷却液出口、真空通道、顶针孔、密封圈槽、晶圆片放置平台。本技术所述的承载盘与支撑座焊接时,确保承载盘上的冷却液入口及冷却液出口与支撑座上的冷却液入口及冷却液出口对应在相同位置上。本技术所述的承载盘的外径尺寸与支撑座的外径尺寸相同。本技术结构简单,操作方便,具有对晶圆片吸附能力、有绝缘性,同时对刻蚀过程产生的热量有冷却功能,能够保证加工质量,提高工作效率。附图说明图I是本技术的结构示意图。图2是本技术的承载盘主视图。图3是图2中A-A剖视图。图4是本技术的支撑座主视图。图中I、承载盘,11、沟槽,12、真空通道,13、顶针孔,14、冷却液出口,15、冷却液入口,16、密封圈槽,17、晶圆片放置平台,2、支撑座。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明参照附图,刻蚀电极机中的下电极装置,包括承载盘I、支撑座2,其特征在于所述的支撑座2上面设置有承载盘1,承载盘I与支撑座2按对应位置焊接为一体。所述的承载盘I包括冷却液入口 15、沟槽11、冷却液出口 14、真空通道12、顶针孔13、密封圈槽16、晶圆片放置平台17。所述的承载盘I与支撑座2焊接时,确保承载盘I上的冷却液入口 15及冷却液出口 14与支撑座2上的冷却液入口 15及冷却液出口 14对应在相同位置上。所述的承载盘I的外径尺寸与支撑座2的外径尺寸相同。具体实施时,对本技术外侧进行硬质阳极氧化处理,形成一层氧化层使下电极与工作环境保持绝缘;对晶圆片放置平台17表面进行喷砂处理,达到较粗糙的表面光洁度,组装完成后。将需要刻蚀的晶圆片放置在平台17上,通过真空通道12抽取真空,经喷砂处理成粗糙表面的平台17对晶圆片产生吸附力,通过顶针的升起和下落可移动晶圆片,上电极接IOOOV正电荷,下电极不带电,两电极间形成电场,等离子气体通上电极后在电场中被加速,轰击平台17上的晶圆片,达到刻蚀的目的。刻蚀过程中,冷却液通过冷却液入口 15进入曲折的沟槽结构,沿沟槽11路径通过冷却液出口 14流出,带走工作过程中产生的热量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
刻蚀电极机中的下电极装置,包括承载盘(1)、支撑座(2),其特征在于:所述的支撑座(2)上面设置有承载盘(1),承载盘(1)与支撑座(2)按对应位置焊接为一体。

【技术特征摘要】
1.刻蚀电极机中的下电极装置,包括承载盘(I)、支撑座(2),其特征在于所述的支撑座(2 )上面设置有承载盘(I),承载盘(I)与支撑座(2 )按对应位置焊接为一体。2.根据权利要求I所述的刻蚀电极机中的下电极装置,其特征在于所述的承载盘(I)包括冷却液入口(15)、沟槽(11)、冷却液出口(14)、真空通道(12)、顶针孔(13)、密封圈槽(16)、晶圆片放置平...

【专利技术属性】
技术研发人员:游利
申请(专利权)人:靖江先锋半导体科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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