可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置及其处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术说明了一种用于均匀加工控制的等离子处理装置的多重甚高频射频频率的混频处理方法，该方法包含以下步骤：1、可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置启动，下电极接收若干路甚高频射频信号和低频射频信号；2、射频比率控制器根据在待处理工件表面的等离子浓度分布要求调整各路甚高频射频信号的射频功率比率。本发明专利技术采用多重甚高频射频频率的混频，通过调节多路甚高频射频的输出比率，调节晶圆表面等离子体的密度分布，消除由于各种条件所造成的等离子体分布不均匀，改善晶圆表面刻蚀速率的均匀性加工控制，或实现按工艺要求通过调节甚高频频率的参数获得不同的等离子分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体领域的晶圆制备技术，具体涉及一种用于均匀加工控制的等离子处理装置及其多重甚高频射频频率的混频处理方法。
技术介绍
目前，半导体产业领域中，晶圆(wafer)的生产流程中包含晶圆刻蚀工艺。如图I所示，图中说明了一种晶圆刻蚀加工工艺设备的结构，该设备中包含一个等离子处理装置，该等离子处理装置包含有等离子反应腔，等离子反应腔为一个密封内腔，保证晶圆刻蚀环境的密封性，防止晶圆刻蚀工艺过程中过多受外界环境影响，而降低晶圆刻蚀工艺质量。同时防止刻蚀采用的等离子体散逸到外界环境，造成工艺材料浪费，并降低刻蚀工艺的质量。等离子反应腔内还包含有基座2和聚焦环3，用于放置晶圆I等待处理工 件。等离子反应腔内还设有一对电极上电极和下电极4，上电极设置在等离子反应腔的上部，下电极4设置在基座2中。晶圆I进行刻蚀工艺时，将晶圆I放置在基座2上，晶圆I的侧边外环绕套设聚焦环3 (focus ring)，在对晶圆I进行刻蚀时，在晶圆I和聚焦环3上方分布用于刻蚀晶圆I的含氟的反应气体。基座2中设有下电极4，该下电极4电路连接有混频器(mixer)5，该混频器5分别电路连接有高频射频和低频射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调节等离子体浓度分布的等离子处理装置，该装置包含一个等离子反应腔，该反应腔内包含一对电极，一对该电极之间设有待处理工件，一对该电极中包含一个下电极（4），所述的下电极（4）的输入端电路连接的混频器（5）；其特征在于，该装置还包含分别与所述的混频器（5）的输入端电路连接的若干个带通滤波器（6）和一个低通滤波器（7）；每个所述的带通滤波器（6）的输入端还电路连接有甚高频信号发生器（8），该甚高频信号发生器（8）输出甚高频射频信号至带通滤波器（6）；所述的低通滤波器（7）的输入端还电路连接有低频信号发生器（9），该低频信号发生器（9）输出低频射频信号至低通滤波器（7）；该装置还包含有射频比率控...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：