用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备制造技术

本发明专利技术涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备，该设备包括：估算注入电流的估算模块CUR，次生电子检测器DSE，以及用于通过注入电流与来自次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路CC。此外，高能次生电子检测器DSE包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器：-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极，该电极具有至少一个允许电子通过的孔；-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；-选择电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备本专利技术涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备。本专利技术的领域是以等离子体浸没模式工作的离子注入机的领域。因此，基体的离子注入包括将基体浸没到等离子体中，并以几十伏到几十千伏的负电压极化(一般小于100千伏)，这样产生能够使等离子体的离子向基体加速的电场，以使得离子注入到基体中。这样注入的原子叫做掺杂物。离子的穿透深度由其加速能量确定。该深度一方面取决于施加到基体的电压，另一方面取决于离子和基体各自的性质。注入原子的浓度取决于以每平方厘米离子数表示的剂量并取决于注入深度。注入时的主要参数之一是注入的掺杂物的剂量。应准确地了解该剂量。通过对到达基体的正电荷积分得到该剂量。 因此，文献US6050218描述用于估算等离子体浸没注入剂量的电荷收集器。位于基体下的收集器是收集等离子体的离子的一部分的法拉第笼(cage de Faraday)。可从其得出注入电流。只有正离子被考虑。文献W00141183和W00008670也涉及离子注入剂量测定。这也是用于回收正离子的一部分的法拉第笼类型的收集器。该收集器靠近基体。文献W02005/104175提出通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.03 FR 10023531.一种用于离子注入的剂量测量设备，该设备包括估算注入电流的估算模块(CUR)， 次生电子检测器(DSE)，用于通过所述注入电流与来自所述次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路(CC)，其特征在于，所述高能次生电子检测器包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器(C0L，P)一用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极(G1，Al，Tl)，该电极具有至少一个允许电子通过的孔；一用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极(G2, A2, T2),该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；一选择电极(G3，A3，T3)，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。2.如权利要求1所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极的孔在形成所述次生电子检测器(DSE)的开口的传导筒(D)上对齐。3.如权利要求1或2所述的剂量测量设备，其特征在于，所述收集器(COL)呈现为杯形。4.如权利要求1-3中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极 (G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3)是铝制的。5.如权利要求1-4中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，两个相邻电极 (G...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·托瑞格罗萨，L·洛克斯，
申请(专利权)人：离子射线服务公司，
类型：
国别省市：