【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种离子注入剂量检测与控制的
，特别是应用在离子注入机采集离子束流和剂量，并实时控制离子束运动并将离子按设定剂量均匀地注入到晶片上，属于离子注入机的关键技术之一。
技术介绍
离子注入机是半导体器件制造中最关键的掺杂设备之一。随着半导体器件制造的集成度向片上系统规模发展，特别是片上晶体管、场效应管尺寸的减缩，对离子束注入掺杂技术提出了很明显的挑战。为了保证片上浅结晶体管和场效应管的性能稳定和重复，在离子注入掺杂过程中，要求对注入剂量、注入能量、注入的重复性、注入角度、注入元素纯度、以及注入剂量的均匀性实施精确的闭环控制和进行全自动调整。针对现有技术而提出的离子注入机注入剂量均匀性检测与控制的系统，该专利技术应用于离子注入机，不但可以满足半导体器件制造工艺发展的需要，而且能够精确检测和自动调整注入剂量，使得整块晶片上注入剂量均匀性得到控制。
技术实现思路
本专利技术专利提出一种结构简单、实现可靠的用于离子注入机注入剂量均匀性检测与控制的系统。本专利技术专利通过以下技术方案来实现：一种剂量检测和控制的系统，其特征在于：该系统包括上位机(1)、SPI适配器(2)、剂量检测与控制器(3)、法拉第筒(4)、束流检测设备(5)、X/Y向扫描电源(6)；其中剂量检测与控制器(3)包含恒流源检测电路模块(7)、束流采集与换挡电路模块(8)、通信接口模块(9)、积分模块(10)、剂量控制模块(11)、扫描发生与扫描接口模块(12)、束流检测接口模块(13)与电 源模块(14)。2.所述的剂量检测与控制器(3)通过SPI适配器(2))与上位机(1)相连进行通信...
【技术保护点】
一种离子注入剂量检测与控制的系统，其特征在于：该系统包括上位机(1)、SPI适配器(2)、剂量检测与控制器(3)、法拉第筒(4)、束流检测设备(5)、X/Y向扫描电源(6)；其中剂量检测与控制器(3)包含恒流源检测电路模块(7)、束流采集与换挡电路模块(8)、通信接口模块(9)、积分模块(10)、剂量控制模块(11)、扫描发生与扫描接口模块(12)、束流检测接口模块(13)与电源模块(14)。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入剂量检测与控制的系统，其特征在于：该系统包括上位机(1)、SPI适配器(2)、剂量检测与控制器(3)、法拉第筒(4)、束流检测设备(5)、X/Y向扫描电源(6)；其中剂量检测与控制器(3)包含恒流源检测电路模块(7)、束流采集与换挡电路模块(8)、通信接口模块(9)、积分模块(10)、剂量控制模块(11)、扫描发生与扫描接口模块(12)、束流检测接口模块(13)与电源模块(14)。2.如权利要求1所述的一种离子注入剂量检测与控制系统，其特征在于：剂量检测与控制器(3)通过SPI适配器(2))与上位机(1)相连进行通信。3.如权利要求1所述的一种离子注入剂量检测与控制系统，其特征在于：法拉第筒(4)通过同...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴巧艳，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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