一种X射线剂量测量传感器制造技术

本实用新型专利技术属医疗器械领域，涉及一种X射线剂量测量传感器。由MOSFET、电阻和电源组成，所述的MOSFET的栅极和源级同时接在电源的公共端上，其漏级与电阻的一端相联，电阻的另一端接电源；所述的MOSFET选自n型或p型；所述的电源VCC，在选用n型MOSFET时，为正电压；在选用p型MOSFET时，为负电压。本实用新型专利技术精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用来测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验等。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

A X ray dose measuring sensor

The utility model belongs to the field of medical instruments, in particular to a X ray dose measuring sensor. Composed of MOSFET, resistance and power, the MOSFET gate and the source level and connected to the public end of power supply, the leakage level and one end of the resistor is connected, the other end is connected with the power of resistance; MOSFET is selected from the N type or P type; the power supply VCC, in the selection of N type MOSFET when the positive voltage; in the selection of P type MOSFET, negative voltage. The utility model has the advantages of high accuracy, simple structure, reliable performance and easy measurement. The utility model is mainly used for measuring the relative dose of X rays, and can be used for radiation dose verification in radiation medical treatment, and calibration of radiation therapy machines, etc..

【技术实现步骤摘要】

本技术属医疗器械领域，涉及X射线相对剂量测试，具体涉及一种X射线剂量测量传感器。
技术介绍
现有X射线计量测试设备中，通常采用GM计数管或是半导体二极管来制作X射线的剂量测量传感器，而GM计数管和专门用于测量X射线的半导体二极管需特殊工艺制造， 因此成本较高，测量电路复杂。临床实践中，迫切需要一种精度较高，构造简单，性能可靠， 且成本低廉的X射线剂量测量传感器。现有技术中，金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-kmiconductor，M0S)结构的晶体管，是构造简单、性能可靠、成本低廉的常见元件，分为P型MOS管和N型MOS管。金属氧化物硅场效应晶体管(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor, MOSFET)为平面型器件结构，其核心是位于中央的MOS电容；MOSFET按导电沟道的不同可分为NMOS和 PMOS器件，NMOS和PMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型，即NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。MOSFET同样具有构造简单、性能可靠、成本低廉的优点。目前，尚未见有关采用MOSFET制成X射线的剂量测量传感器的报道。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的缺陷和不足，提供一种X射线剂量测量传感器。尤其涉及采用MOSFET制作的X射线剂量测量传感器。具体而言，本技术的X射线剂量测量传感器，其特征在于，由MOSFET Q、电阻R 和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上，其漏级 D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；本技术中，所述的MOSFET选自η型或ρ型；所述的电阻R的取值稍大，本技术的一个实施例中电阻R的取值为10Μ Ω ；所述的电源VCC，在选用η型MOSFET时，为正电压；在选用ρ型MOSFET时，为负电压。本技术的特点是没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在 X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻RWab两端产生电位差，Vab不等于零，因Vab = Ii XR，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X 射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。本技术中，所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。本技术与现有设备相比较，具有以下优点⑴电路简单、稳定、易于测量；(2)所采用的MOSFET的制造技术成熟、质量稳定、参数一致性好，且成本低廉，无需专门制造，可市购。本技术X射线剂量测量传感器其精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用于测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验寸。为了便于理解，下面通过附图和具体实施例对本技术的X射线剂量测量传感器进行详细的描述。需要特别指出的是，具体实施例和附图仅是为了说明，显然本领域的技术人员可以根据本文说明，对本技术进行各种修正或改变，这些修正和改变也将纳入本技术范围之内。附图说明图1是本技术X射线剂量测量传感器的电路结构示意图，其中，Q是MOSFET，G是栅极，S是源极，D是漏级，X是X射线，R是电阻，VCC是电源，Ii是电流，a是电阻的a端，b是电阻的b端。具体实施方式实施例1如图1所示，本实施例采用η型MOSFET制备X射线剂量测量传感器，由MOSFET Q、 电阻R和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上， 其漏级D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；所述的电阻R的取值为IOM Ω ； 所述的电源VCC为正电压。没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻R的ab两端产生电位差， Vab不等于零，因Vab = Ii X R，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。实施例2如图1所示，本实施例采用ρ型MOSFET制备X射线剂量测量传感器，由MOSFET Q、 电阻R和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上， 其漏级D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；所述的电阻R的取值为IOM Ω ； 所述的电源VCC为负电压。没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻R的ab两端产生电位差， Vab不等于零，因Vab = Ii X R，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。本技术中所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。本技术只需采用普通的MOSFET即可制备X射线剂量测量传感器，为X射线探测提供了一种简单易行的解决方案。本技术X射线剂量测量传感器精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用于测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验等。权利要求1.一种X射线剂量测量传感器，其特征在于，由MOSFET (Q)、电阻(R)和电源(VCC)组成，所述的MOSFET的栅极(G)和源级(S)同时接在电源的公共端(GND)上，其漏级(D)与电阻(R)的一端相联，电阻(R)的另一端接电源(VCC)。2.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET选自η型或P型。3.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的电阻(R)的取值为 IOM Ω。4.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET为η型时， 电源(VCC)为正电压。5.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET为ρ型时， 电源(VCC)为负电压。专利摘要本技术属医疗器械领域，涉及一种X射线剂量测量传感器。由MOSFET、电阻和电源组成，所述的MOSFET的栅极和源级同时接在电源的公共端上，其漏级与电阻的一端相联，电阻的另一端接电源；所述的MOSFET选自n型或p型；所述的电源VCC，在选用n本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｘ射线剂量测量传感器，其特征在于，由ＭＯＳＦＥＴ　（Ｑ）、电阻（Ｒ）和电源（ＶＣＣ）组成，所述的ＭＯＳＦＥＴ的栅极（Ｇ）和源级（Ｓ）同时接在电源的公共端（ＧＮＤ）上，其漏级（Ｄ）与电阻（Ｒ）的一端相联，电阻（Ｒ）的另一端接电源（ＶＣＣ）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智维，
申请(专利权)人：上海市第一人民医院，
类型：实用新型
国别省市：31