一种纳秒级分辨率的X射线二极管制造技术

技术编号:2658229 阅读:662 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种纳秒级分辨率的X射线二极管,它涉及一种X射线二极管,为了解决现有的X射线二极管的结构复杂的问题。本发明专利技术由阳极金属网、阴极金属和偏压测量电路组成,所述的阳极金属网与阴极金属相对平行设置,偏压测量电路连接阴极金属,所述的偏压测量电路由第一电阻、第二电阻和电容组成,所述的第一电阻的一端连接阴极金属和电容的一端,电容的另一端连接第二电阻的一端,第二电阻的另一端接地,第一电阻的另一端作为偏压输入端和信号输出端。本发明专利技术简化了普通X射线二极管的结构,其可在较低真空度和偏压下工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种x射线二极管。
技术介绍
.传统应用于激光打靶x射线激光检测的x射线二极管,虽然具有时间响应快的优点(ps量级),但其结构复杂,需要两个接头分别连接阴阳极直流偏压和示 波器,它提供工作偏压的电路为一回路,测量电路为另一回路,所以X射线二级 管内部结构相对复杂,外部输出至少有两个端子,而且工作时的偏压和真空度要 求较高,分别为10—3Pa、 1000~3000V。
技术实现思路
为了解决现有的x射线二极管的结构复杂的问题,本专利技术提供了一种纳秒 级分辨率的x射线二极管。本专利技术由阳极金属网、阴极金属和偏压测量电路组成,所述的阳极金属网 与阴极金属相对平行设置,偏压测量电路连接阴极金属,所述的偏压测量电路 由第一电阻、第二电阻和电容组成,所述的第一电阻的一端连接阴极金属和电 容的一端,电容的另一端连接第二电阻的一端,第二电阻的另一端接地,第一 电阻的另一端作为偏压输入端和信号输出端。本专利技术简化了普通x射线二极管的结构,其可在较低真空度和偏压下工作。附图说明图l是本专利技术的电路图。 具体实施例方式下面结合图1具体说明本实施方式,本实施方式由阳极金属网1、阴极金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳秒级分辨率的X射线二极管,其特征在于它由阳极金属网(1)、阴极金属(2)和偏压测量电路(3)组成,所述的阳极金属网(1)与阴极金属(2)相对平行设置,偏压测量电路(3)连接阴极金属(2),所述的偏压测量电路(3)由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和电容(C)组成,所述的第一电阻(R1)的一端连接阴极金属(2)和电容(C)的一端,电容(C)的另一端连接第二电阻(R2)的一端,第二电阻(R2)的另一端接地,第一电阻(R1)的另一端作为偏压输入端和信号输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:程元丽赵永蓬朱秋石王骐
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:93[中国|哈尔滨]

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