分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁，包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。一旦离子击穿保护层及绝缘层进入检测电极或者由于保护层意外破裂使得离子进入检测电极，检测电极将该信号通过真空电极反馈到监测控制单元，使得工作人员及时知晓保护层的出现故障，以便工作人员可以及时对保护层进行检修或更换，确保离子注入工艺安全可靠进行，提高产品良率。本实用新型专利技术还公开了一种采用上述监测装置的分析磁场装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置。
技术介绍
在半导体领域内，离子注入技术通常用作在制造集成电路中采用的一种工艺，用于通过在半导体材料的预定区域中掺杂预先确定浓度的杂质离子，从而改变这些区域中的电传输特性。分析磁场装置是离子注入当中一个重要的筛选离子的手段，它的目的主要是把特定能量和电性的离子筛选出来注入到晶圆中去。分析磁场装置中，其他电性和能量的电子会在腔体中不规则的游离并击中腔体。 通常离子注入机台制造商都会采用石墨作为保护层来保护金属腔体。如图I和图2所示，其中，图I为现有的分析磁场装置的结构示意图，图2为现有的分析磁场装置的腔体及保护层的结构示意图，由图I和图2可见，保护层120设置于所述腔体110的内壁，用于保护腔体110。在使用中，经常发生保护层被其他电性和能量的电子击穿或者意外破裂现象，一旦出现上述现象，这些其他电性和能量的电子会损伤腔体110。又由于现有的分析磁场的装置内的作为腔体保护层120的石墨情况是未知的。因此，不能及时发现腔体110受损情况，导致没有及时进行修复处理，而影响晶圆的离子注入工艺，最终导致产品良率降低。因此，如何提供一种可以实时监测分析磁场装置内腔体保护层的情况的监测装置及分析磁场装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置，可以实现对磁场装置内腔体保护层的状态进行实时监测。为了达到上述的目的，本技术采用如下技术方案一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁，包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单兀连接。优选的，在上述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置中，所述检测电极是石墨电极。优选的，在上述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置中，所述真空电极包括导体和绝缘管，所述导体设置于所述绝缘管的内部，所述导体分别与所述检测电极以及所述监测控制单元连接。优选的，在上述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置中，所述绝缘层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。优选的，在上述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置中，所述绝缘管采用陶瓷绝缘管。本技术还提供了一种分析磁场装置，包括腔体和设于腔体内壁的保护层，还包括一如上所述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置。优选的，在上述的分析磁场装置中，所述保护层采用石墨。优选的，在上述的分析磁场装置中，所述保护层包括上盖和下盖，所述上盖和下盖组装后的整体内部形成用于容置所述检测电极的空间以及用于容置所述真空电极的通孔，所述通孔设置于所述空间的一侧。优选的，在上述的分析磁场装置中，所述上盖和下盖通过螺栓组件安装在一起。 本技术提供的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置，由于分析磁场装置内腔体保护层的监测装置采用检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接，因此，一旦离子击穿保护层及绝缘层进入检测电极或者由于保护层意外破裂使得离子进入检测电极，检测电极将该信号通过真空电极反馈到监测控制单元，使得工作人员及时知晓保护层的出现故障，以便工作人员可以及时对保护层进行检修或更换，确保离子注入工艺安全可靠进行，提高产品良率。附图说明本技术的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置由以下的实施例及附图给出。图I为现有的分析磁场装置的结构示意图。图2为现有的分析磁场装置的腔体及保护层的结构示意图。图3为本技术一实施例的分析磁场装置的腔体及保护层的结构示意图。图4为本技术一实施例的分析磁场装置内腔体保护层的结构示意图。图5为图4的俯视图。图中，110、210-腔体、120、220_保护层、221-上盖、222-下盖、223-空间、224-通孔、230-检测电极、240-真空电极。具体实施方式以下将对本技术的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置作进一步的详细描述。下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本技术的目的、特征更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参阅图3至图5，其中，图3为本技术一实施例的分析磁场装置的腔体及保护层的结构示意图，图4为本技术一实施例的分析磁场装置内腔体保护层的结构示意图，图5为图4的俯视图。本技术一实施例提供了一种分析磁场装置，包括腔体210、设置于所述腔体210内壁的保护层220以及分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述分析磁场装置内腔体保护层的监测装置包括两侧面分别覆盖绝缘层240的检测电极230、真空电极(未图示)和监测控制单元(未图示)，所述检测电极230设置于所述保护层220的内部，所述检 测电极230通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。采用上述结构，一旦离子击穿保护层220及绝缘层240进入检测电极230或者由于保护层221意外破裂使得离子进入检测电极230，检测电极230会将该信号通过真空电极反馈到监测控制单元，使得工作人员及时知晓保护层220的出现故障，以便工作人员可以及时对保护层220进行检修或更换，确保离子注入工艺安全可靠进行，提高产品良率较佳的，在本实施例中，所述检测电极230是石墨电极。石墨电极具有导电性能，因而，该检测电极230可以将接触到的离子的带电信号通过真空电极传递到监测控制单元。所述监测控制单元可以直接采用离子注入机台的控制单元。较佳的，在本实施例中，所述真空电极包括导体(未图示)和绝缘管(未图示)，所述导体设置于所述绝缘管的内部，所述导体分别与所述检测电极230以及所述监测控制单元连接。优选的，在上述的分析磁场装置内腔体保护层的监测装置中，所述绝缘管采用陶瓷绝缘管。采用如上结构的真空电极可以避免其他信号干扰，从而，将检测电极检测到的信号准确传输给监测控制单元。较佳的，在本实施例中，所述绝缘层240采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。聚对苯二甲酸乙二醇酯，其化学式为-0CH2-CH20C0C6H4C0，其英文名polyethyleneter印hthalate，简称PET，为高聚合物，其由对苯二甲酸乙二醇酯发生脱水缩合反应而得来。苯二甲酸乙二醇酯是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁，其特征在于，包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓，刘群超，陈中林，张兴林，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：