洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法制造方法及图纸

技术编号:14640633 阅读:95 留言:0更新日期:2017-02-15 14:59
本发明专利技术属于蔬菜杀菌技术领域,提供了一种洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法,该装置包括依次连接的进水管、清洗池和出水管。清洗池的侧壁设有磁场线圈和脉冲磁场发生器,磁场线圈与磁场脉冲发生器连接。磁场线圈包括第一磁场线圈和第二磁场线圈。脉冲磁场发生器包括第一电路、第二电路和隔离变频器。本发明专利技术洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法,能够提高蔬菜的杀菌效率,降低设备损耗和设备成本,方便用户使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蔬菜杀菌
,具体涉及一种洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法
技术介绍
蔬菜清洗是蔬菜加工和净菜生产中必不可少的工序之一。现有的蔬菜清洗机通过振动喷淋和滚筒可以实现蔬菜的自动清洗。振动喷淋式蔬菜清洗机有两个清洗池,蔬菜先在振动清洗池中作往复运动,进行初步清洗,然后进入喷淋池中用清水喷淋,完成整个清洗过程。传统的洗菜机的清洗方式仅是能够清洗果菜的表面污物和泥土,对蔬菜水果表面的细菌和农药的作用不明显,部分洗菜机增加了超声技术和臭氧技术。但是,超声灭菌技术的缺点在于:超声处理量较小,超声灭菌目前还不能用于工业化生产,超声波对食品中微生物的影响,及其最终导致的潜在安全性问题研究不足。因此,大规模应用于蔬菜杀菌也有一定的距离。超声波单独作用时,容易作用不彻底,且影响因素较多。若增加强度,会提高其灭菌率,但会造成设备的严重损耗。臭氧灭菌技术的缺点在于:臭氧发生器产生的臭氧,具有浓重刺鼻的味道,还有氮氧化合物存在,且对果菜和洗涤水的杀菌、除去水中有害杂质及净化的综合作用不明显,难以形成互相协同作用以及杀菌范围更大的杀菌效果。如何提高蔬菜的杀菌效率,降低设备损耗和设备成本,方便用户使用,是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷,本专利技术提供一种洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法,提高蔬菜的杀菌效率,降低设备损耗和设备成本,方便用户使用。第一方面,本专利技术提供一种洗菜机用磁场杀菌装置,该装置包括:进水管、清洗池和出水管,其中,清洗池设置有杀菌用磁场发生器。本专利技术提供另一种洗菜机用扫频磁场杀菌装置,该装置包括依次连接的进水管、清洗池和出水管。清洗池的侧壁设有磁场线圈和脉冲磁场发生器,磁场线圈与磁场脉冲发生器连接。磁场线圈包括第一磁场线圈L1和第二磁场线圈L2。脉冲磁场发生器包括第一电路、第二电路和隔离变频器。第一电路包括输入电源(Vin)、滤波电感(Ldc)、第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第一体二极管(D1)、第二体二极管(D2)、第一谐振电容(Cr1)、第二谐振电容(Cr2)、第一续流电容(C1)、第二续流电容(C2)、第一保护电容(Ct1)和漏磁电感(Ls)。输入电源(Vin)的正极与滤波电感(Ldc)的第一端连接,输入电源(Vin)的负极分别与第二MOS管(S2)的漏极、第二体二极管(D2)的正极、第二谐振电容(Cr2)的第一端和第二续流电容(C2)的第一端连接。滤波电感(Ldc)的第二端分别与第一MOS管(S1)的漏极、第一体二极管(D1)的正极、第一谐振电容(Cr1)的第一端、第二MOS管(S2)的源极、第二体二极管(D2)的负极、第二谐振电容(Cr2)的第二端和第一保护电容(Ct1)的第一端连接。第一MOS管(S1)的源极分别与第一体二极管(D1)的负极、第一谐振电容(Cr1)的第二端和第一续流电容(C1)的第一端连接,第一保护电容(Ct1)的第二端与第一磁场线圈L1、漏磁电感(Ls)依次连接。第二电路包括第二保护电容(Ct2)、第三MOS管(S3)、第四MOS管(S4)、第三体二极管(D3)、第四体二极管(D4)、第三谐振电容(Cr3)、第四谐振电容(Cr4)、第三续流电容(C3)和第四续流电容(C4)连接。第二磁场线圈L2和第二保护电容(Ct2)的第一端连接,第二保护电容(Ct2)的第二端分别与第三MOS管(S3)的漏极、第四MOS管(S4)的源极、第三体二极管(D3)的正极、第四体二极管(D4)的负极、第三谐振电容(Cr3)的第一端和第四谐振电容(Cr4)的第一端连接,第三MOS管(S3)的源极分别与第三体二极管(D3)的负极、第三谐振电容(Cr3)的第二端和第三续流电容(C3)的第一端连接,第四MOS管(S4)的漏极分别与第四体二极管(D4)的正极、第四谐振电容(Cr4)的第二端和第四续流电容(C4)的第一端连接。隔离变频器的初级绕组的第一端与漏磁电感(Ls)连接,隔离变频器的初级绕组的第二端分别与第一续流电容(C1)和第二续流电容(C2)的第二端连接,隔离变频器的次级绕组的第一端与第二磁场线圈L2连接,隔离变频器的次级绕组的第二端分别与第三续流电容(C3)和第四续流电容(C4)的第二端连接。进一步地,输入电源(Vin)为直流电源。进一步地,第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的开关频率为50KHz。基于上述任意洗菜机用扫频磁场杀菌装置,进一步地,洗菜机用扫频磁场杀菌装置的磁场强度为3.5T。进一步地,第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)均为N沟道增强型MOS管。进一步地,第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第三MOS管(S3)和第四MOS管(S4)的占空比为0.5。基于上述任意洗菜机用扫频磁场杀菌装置,进一步地,第一保护电容(Ct1)和第二保护电容(Ct2)的电容值为1uF/1500V。基于上述任意洗菜机用扫频磁场杀菌装置,进一步地,清洗池的侧壁包括由外到内依次连接的外壳、铜网、磁场线圈、绝缘层和内壁。第二方面,本专利技术提供一种利用了上述洗菜机用扫频磁场杀菌装置的洗菜机用扫频磁场杀菌方法,该方法包括:步骤S1,控制第一MOS管(S1)和第三体二极管(D3)导通,第一电流(Id1)低于第二电流(Ir1),隔离变频器的初级绕组电压值(Vr1)与第一续流电容(C1)的第一电压值(V1)相同,隔离变频器的次级绕组电压值(Vr2)与第三续流电容(C3)的第三电压值(V3)相同;步骤S2,控制第一MOS管(S1)关断,控制第二MOS管(S2)导通,第三体二极管(D3)导通,第一电流(Id1)上升,第二电流(Ir1)下降至零,隔离变频器的初级绕组电压值(Vr1)由第一电压值(V1)下降,直至与第二续流电容(C2)的第二电压值(-V2)相同,隔离变频器的次级绕组电压值(Vr2)与第三续流电容(C3)的第三电压值(V3)相同;步骤S3,控制第二MOS管(S2)和第三MOS管(S3)导通,第一电流(Id1)继续上升,第二电流(Ir1)的极性改变,反向增大,隔离变频器的初级绕组电压值(Vr1)与第二续流电容(C2)的第二电压值(-V2)相同,隔离变频器的次级绕组电压值(Vr2)与第三续流电容(C3)的第三电压值(V3)相同;步骤S4,控制第三MOS管(S3)关断,控制第四MOS管(S4)导通,第一电流(Id1)继续上升,第二电流(Ir1)继续反向增大,隔离变频器的初级绕组电压值(Vr1)与第二续流电容(C2)的第二电压值(-V2)相同,隔离变频器的次级绕组电压值(Vr2)由第三电压值(V3)下降至第四电压值(-V4);步骤S5,控制第一MOS管(S1)和第四MOS管(S4)导通,第一电流(Id1)下降,第二电流(Ir1)反向减小至零后正向增大,隔离变频器的初级绕组电压值(Vr1)由第二电压值(-V2)上升至第一电压值(V1),隔离变频器的次级绕组电压值(Vr2)与第四续流电容(C4)的第四电压值(-V4)相同。本专利技术洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法,采用四个MOS管交替通断,使隔离变频器产生高频脉冲交流电压,磁场脉冲发生器即可向磁场线圈提供强脉冲磁场,作用于本文档来自技高网...
洗菜机用扫频磁场杀菌装置及方法

【技术保护点】
一种洗菜机用磁场杀菌装置,其特征在于,包括:进水管、清洗池和出水管,其中,清洗池设置有杀菌用磁场发生器。

【技术特征摘要】
1.一种洗菜机用磁场杀菌装置,其特征在于,包括:进水管、清洗池和出水管,其中,清洗池设置有杀菌用磁场发生器。2.一种洗菜机用扫频磁场杀菌装置,其特征在于,包括:依次连接的进水管、清洗池和出水管,所述清洗池的侧壁设有磁场线圈和脉冲磁场发生器,所述磁场线圈与所述磁场脉冲发生器连接,所述磁场线圈包括第一磁场线圈L1和第二磁场线圈L2,所述脉冲磁场发生器包括第一电路、第二电路和隔离变频器,所述第一电路包括输入电源(Vin)、滤波电感(Ldc)、第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第一体二极管(D1)、第二体二极管(D2)、第一谐振电容(Cr1)、第二谐振电容(Cr2)、第一续流电容(C1)、第二续流电容(C2)、第一保护电容(Ct1)和漏磁电感(Ls),所述输入电源(Vin)的正极与所述滤波电感(Ldc)的第一端连接,所述输入电源(Vin)的负极分别与所述第二MOS管(S2)的漏极、所述第二体二极管(D2)的正极、第二谐振电容(Cr2)的第一端和所述第二续流电容(C2)的第一端连接,所述滤波电感(Ldc)的第二端分别与所述第一MOS管(S1)的漏极、所述第一体二极管(D1)的正极、所述第一谐振电容(Cr1)的第一端、所述第二MOS管(S2)的源极、所述第二体二极管(D2)的负极、所述第二谐振电容(Cr2)的第二端和所述第一保护电容(Ct1)的第一端连接,所述第一MOS管(S1)的源极分别与所述第一体二极管(D1)的负极、所述第一谐振电容(Cr1)的第二端和第一续流电容(C1)的第一端连接,所述第一保护电容(Ct1)的第二端与所述第一磁场线圈L1、所述漏磁电感(Ls)依次连接,所述第二电路包括第二保护电容(Ct2)、第三MOS管(S3)、第四MOS管(S4)、第三体二极管(D3)、第四体二极管(D4)、第三谐振电容(Cr3)、第四谐振电容(Cr4)、第三续流电容(C3)和第四续流电容(C4)连接,所述第二磁场线圈L2和所述第二保护电容(Ct2)的第一端连接,所述第二保护电容(Ct2)的第二端分别与所述第三MOS管(S3)的漏极、所述第四MOS管(S4)的源极、所述第三体二极管(D3)的正极、所述第四体二极管(D4)的负极、所述第三谐振电容(Cr3)的第一端和所述第四谐振电容(Cr4)的第一端连接,所述第三MOS管(S3)的源极分别与所述第三体二极管(D3)的负极、所述第三谐振电容(Cr3)的第二端和所述第三续流电容(C3)的第一端连接,所述第四MOS管(S4)的漏极分别与所述第四体二极管(D4)的正极、所述第四谐振电容(Cr4)的第二端和所述第四续流电容(C4)的第一端连接,所述隔离变频器的初级绕组的第一端与所述漏磁电感(Ls)连接,所述隔离变频器的初级绕组的第二端分别与所述第一续流电容(C1)和所述第二续流电容(C2)的第二端连接,所述隔离变频器的次级绕组的第一端与所述第二磁场线圈L2连接,所述隔离变频器的次级绕组的第二端分别与所述第三续流电容(C3)和所述第四续流电容(C4)的第二端连接。3.根据权利要求2所述洗菜机用扫频磁场杀菌装置,其特征在于,所述输入电源(Vin)为直流电源。4.根据权利要求2或3所述洗菜机用扫频磁场杀菌...

【专利技术属性】
技术研发人员:高强李俊录陈熙宇李浩源
申请(专利权)人:魔水科技北京有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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