【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近校正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。
技术介绍
1、随着工艺节点的不断推进，在半导体晶圆上的图形密度(pattern density)呈现爆发式的增长，在同样的性能下，占用越少的面积，就越能在生产成本上占据优势，这就势必导致单张掩膜版中图形的间距(pitch)不断压缩，以达到更少的光罩成本。
2、然而更小的间距(pitch)，势必会对工艺带来更高的挑战，弱点(weak point)数量也会大幅提升，尤其是小间距图形组(small pitch group)中心的图形(如图1中图形a所示)，一方面，容易受到旁边周边邻近图形的修正空间的挤压，另一方面，基于光罩(mask)安全性的考量，各图形间之间的光学邻近修正后间隔(post opc space)必须满足光罩规则检查(mask rule check，mrc)，这就导致了中间的图形往往由于光罩规则检查，即使在最佳能量和焦距(nominal condition)下，也会表现出极大的边缘放置误差(edge placemente...
【技术保护点】
1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，在多个主图形组成的图形组中，具有第一参考数量的主图形作为第一主图形，具有第二参考数量的主图形作为第二主图形，所述第二主图形与第一主图形相邻，且第一参考数量大于第二参考数量；
3.如权利要求2所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述初始化处理包括：对所述第一主图形进行第一放大处理；和/或，对所述第二主图形进行位移处理，用于朝着远离所述第一主图形的方向移动所述第二主图形。
4.如权利要求3所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述初始化处理还...
【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，在多个主图形组成的图形组中，具有第一参考数量的主图形作为第一主图形，具有第二参考数量的主图形作为第二主图形，所述第二主图形与第一主图形相邻，且第一参考数量大于第二参考数量；
3.如权利要求2所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述初始化处理包括：对所述第一主图形进行第一放大处理；和/或，对所述第二主图形进行位移处理，用于朝着远离所述第一主图形的方向移动所述第二主图形。
4.如权利要求3所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述初始化处理还包括：基于经验修正值，对所述第二主图形进行第二放大处理。
5.如权利要求3所述的光学邻近校正方法，其特征在于，在初始化处理之前，所述第二主图形与所述第一主图形之间的距离为原始距离；在对第二主图形进行位移处理后，第二主图形与第一主图形之间的距离为移动后距离，所述移动后距离是原始距离的1至1.2倍。
6.如权利要求3所述的光学邻近校正方法，其特征在于，对所述第一主图形进行第一放大处理的比例为1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兰芳，陈巧丽，李文浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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