高能次生电子检测器制造技术

本发明专利技术涉及一种高能次生电子检测器，该检测器包括收集器P，该收集器专门支承互相绝缘并相对于该收集器被极化的以下三个电极：用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极A1，被负极化的该电极具有至少一个允许电子通过的开口；用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极A2，被正极化的该电极也具有至少一个允许电子通过的开口；选择电极A3，该电极也具有至少一个允许电子通过的开口，这些电极的开口在传导筒（D）上对齐。此外，选择电极A3被负极化。本发明专利技术还针对通过该检测器检测次生电子的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高能次生电子检测器 本专利技术涉及高能次生电子检测器。因此，本专利技术的领域是分析等离子体中次生电子的领域。本专利技术在以等离子体浸入模式工作的离子注入机中得到特别有利的应用。因此，基体的离子注入包括将基体浸没到等离子体中，并以几十伏到几十千伏的负电压极化(一般小于100千伏)，这样产生能够使等离子体的离子向基体加速的电场，以使得离子注入到基体中。这样注入的原子叫做掺杂物。离子的穿透深度由其加速能量确定。该深度一方面取决于施加到基体的电压，另一方面取决于离子和基体各自的性质。注入原子的浓度取决于以每平方厘米离子数表示的剂量并取决于注入深度。 但是，发现注入的后果是在基板处产生次生电子。这些次生电子被施加到基板的电势加速(在与正离子相反的方向)，因此它们将被称作高能次生电子。注入时的主要参数之一是注入的掺杂物的剂量。应准确了解该剂量。估算注入剂量的已知方式包括测量基板处的注入电流Ip。但是，该注入电流Ip是离子电流1+和高能次生电子电流I—的总和。因此，为了通过离子电流1+的时间积分来得到注入剂量，适当的是从注入电流Ip减去次生电子电流I—。已知有多种方案用于检测等离子体中带电粒子种类(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.03 FR 10023541.一种高能次生电子检测器，该检测器包括收集器(C0L，P)，该收集器专门支承互相绝缘并相对于该收集器被极化的以下三个电极一用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极(G1，Al，Tl)，被负极化的该电极具有至少一个允许电子通过的开口；-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极(G2，A2，T2)，被正极化的该电极也具有至少一个允许电子通过的开口 ；一选择电极(G3，A3，T3)，该电极也具有至少一个允许电子通过的开口，上述这些电极的开口在传导筒(D)上对齐；其特征在于，所述选择电极(G3，A3，T3)被负极化。2.如权利要求1所述的检测器，其特征在于，所述收集器(COL)呈现为杯形。3.如前述权利要求中任一项所述的检测器，其特征在于，所述电极(G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3)是铝制的。4.如前述权利要求中任一项所述的检测器，其特征在于，两个相邻电极(G1-G2, G2-G3)之间的间距介于6_至10_之间。5.如前述权利要求中任一项所述的检测器，其特征在于，所述电极(G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3)的开口的面积介于 15mm2 至 30mm2 之间。6.如前述权利要求中任一项所述的检测器，其特征在于，所述电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·托瑞格罗萨，L·洛克斯，
申请(专利权)人：离子射线服务公司，
类型：
国别省市：