靶材背管的磁铁配置、包括所述磁铁配置的靶材背管、圆柱状靶材组件及溅射系统技术方案

本文关于用于溅射系统的磁铁配置(800,900,1000)，其中磁铁配置适于溅射系统的可旋转靶材(126a,126b)并包含：第一磁铁元件(810,910,1010)，所述第一磁铁元件沿第一轴(X)延伸；第二磁铁元件(820,920,1020)，所述第二磁铁元件环绕第一磁铁元件与第一平面(A)对称地设置；其中第二磁铁元件包含至少一个扇区(826,827,926,927,1028)，所述至少一个扇区与第一平面相交；且其中至少一个扇区的磁轴(822,922,1022)相对第二平面(B)而倾斜，所述第二平面与第一轴(X)正交。此外，本文关于用于溅射系统的可旋转靶材的靶材背管、用于溅射系统的圆柱状可旋转靶材及溅射系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于用于可旋转靶材的磁铁配置。更具体地，本专利技术关于用于溅射系统的可旋转靶材的磁铁配置。此外，本专利技术关于用于溅射系统的可旋转靶材的靶材背管。此外，本专利技术关于溅射系统的可旋转靶材圆柱。另外，本专利技术关于包含靶材背管的圆柱状靶材组件。此外，本专利技术关于包含真空腔室及至少一个靶材背管的溅射系统。
技术介绍
在许多应用中，需要在基板上沉积薄层。在此所使用的术语“基板”应包括非柔性基板(如，晶圆或玻璃板)及柔性基板(如，腹板及箔)两者。典型用于沉积层的技术为蒸镀、溅射及化学气相沉积。代表性的示例包含(但不限于)涉及以下的应用半导体及介电材料和装置、硅基晶圆、平板显示器(如TFT)、掩模及过滤器、能源转换及储存(如，光伏电池、燃料电池及电池)、固态照明(如LED及0LED)、磁性及光学储存、微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、微光学及光学机电系统(NEMS)、微光学及光电装置、透明基板、建筑用及车用玻璃、用于金属和聚合物箔片及封装的金属化系统、和微成型及纳米成型。在蒸镀工艺中，加热待沉积的材料使所述材料蒸发并凝结于基板上。溅射是一种真空涂覆工艺，所述真空涂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.16 EP 10169891.81.一种用于溅射系统的磁铁配置(800，900，1000)，其中所述磁铁配置适于溅射系统的可旋转靶材(126a，126b)并包括 第一磁铁元件(810，910，1010)，所述第一磁铁元件沿第一轴(X)延伸； 第二磁铁元件(820，920，1020)，所述第二磁铁元件环绕所述第一磁铁元件与第一平面(A)对称地设置；其中 所述第二磁铁元件包含至少一个扇区(826，827，926，927，1028)，所述至少一个扇区与所述第一平面相交；且其中 所述至少一个扇区的磁轴(822,922，1022)相对第二平面(B)倾斜，所述第二平面与所述第一轴(X)正交。2.如权利要求1所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区的磁轴(822,922，1022)相对所述第二平面具有大于约45度的倾斜角，特别地大于60度，例如大于80度。3.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区的磁轴(822，922，1022)倾斜远离所述第一磁铁元件(810，910，1010)。4.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述第一轴(X)位于所述第一平面(A)内。5.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区的磁轴(822，922，1022)相对所述第二磁铁元件的第一磁铁部分(824，825，924，925，1024，1025)的磁轴具有大于约45度的倾斜角，特别地大于60度，如大于80度，所述第二磁铁元件配置成与所述第一磁铁元件(810,910，1010)基本平行。6.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区对称地在所述第一平面(A)的两侧上延伸。7.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区的形状选自由大致为U形、半圆形、圆弧形、及条形所组成的群组。8.如前述权利要求中任一权利要求所述的磁铁配置，其特征在于，所述扇区在正交于所述第一轴(X)且正交于所述第一磁铁元件的磁轴(812)的方向上对应于至少30%、特别地为...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·洛珀，J·格里尔梅耶，W·克罗克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：