【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种引出抑制浪涌保护装置，特别地涉及一种用于离子注入机的引出抑制浪涌保护装置。
技术介绍
随着半导体器件集成度越来越高，半导体工艺设备越来越复杂，对离子源的的束流要求也越来越高。在半导体制造工艺设备离子注入机中，离子源引出系统是整机设备关键部件之一，其决定离子源系统的引出束流大小、引出能量大小、引出束流品质及束稳定性能。然而在许多离子源中采用了三电极引出系统，这三个电极分别叫做正电极、负电极和地电极。引出抑制即加在负电极和地电极间的电场，其能大大减小离子束的空间电荷效应，还可以调节引出离子束的发散角。
技术实现思路
针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求，本专利技术设计了一种用于离子注入机离子源引出系统保护和吸收引出抑制电极的放电电流装置。本专利技术通过以下技术方案实现一种引出抑制浪涌保护装置，包括底座(I)、十字沉头螺钉(2)、PCB支件(3)、半圆螺钉(4)、绝缘筒(5)、高压电阻(6)、高压二极管(7)、印制板(8)、半圆螺钉(9)、电极(10)、弹簧(11)、插销导管(12)、顶盖(13)和高压连接器(14)。其中所述底座(I)和所述顶...
【技术保护点】
一种引出抑制浪涌保护装置，包括：底座(1)、十字沉头螺钉(2)、PCB支件(3)、半圆螺钉(4)、绝缘筒(5)、高压电阻(6)、高压二极管(7)、印制板(8)、半圆螺钉(9)、电极(10)、弹簧(11)、插销导管(12)、顶盖(13)和高压连接器(14)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭彬，唐景庭，林萍，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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