一种浪涌电流抑制器制造技术

一种浪涌电流抑制器，包括电压输入端、电阻R1-R5，功率电阻器RT、开关管Q1、三极管Q2、稳压二极管D1、电容器C1,C2和电压输出端；功率电阻器RT第一端与电压输入端连接，功率电阻器RT第二端与电压输出端连接；开关管Q1输入端与电压输入端连接，开关管Q1输出端与电压输出端连接，开关管Q1控制端连接到电阻R2第二端和电阻R3第一端；电阻R2的第一端与电压输入端连接；电阻R3的第二端与三极管Q2的集电极连接；电阻R1第一端与电压输入端连接，电阻R1的第二端与电容器C1第一端和稳压二极管D1负极连接；稳压二极管D1正极与电阻R5的第一端，电容器C2的第一端和三极管Q2的基极连接；三极管Q2的发射极与电阻R4的第一端连接；电容器C1,C2和电阻R4,R5的第二端接地。

【技术实现步骤摘要】


本技术涉及一种浪涌电流抑制装置，尤其是一种直流电源浪涌抑制装置。

技术介绍

浪涌电流是电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。浪涌产生的时间非常短，电流的幅值超过正常值的两倍以上。由于滤波电容会迅速充电，所以峰值电流会远远大于稳态输入电流。如果浪涌电流超过设备的承受能力，将会损坏设备或者大大减少设备的使用寿命。多个小浪涌累积效应也会造成半导体器件性能衰退、大大缩短了设备的使用寿命，同时造成巨大的经济成本。为了消除电源接通瞬间产生的浪涌，现有传统的浪涌抑制电路是在整流电路前串接一个负温度系数的热敏电阻和前置滤波电路，热敏电阻在常态下的阻值较大，在电源接通时，可以限制滤波电容的充电电流，从而抑制浪涌电流。等到热敏电阻发热后，阻值变小，降低对电路的影响。或者采用专用的浪涌抑制装置或者串联功率电阻器来抑制浪涌电流。但是专用的浪涌抑制装置体积很大，价格昂贵，而串联的电阻器虽然成本低廉，但是浪涌电流只是一瞬间的破坏，在此之后功率电阻器会消耗大量能量，降低电路效率。

技术实现思路

本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种浪涌电流抑制器。
本技术通过以下技术方案来实现上述目的：
一种浪涌电流抑制器，包括电压输入端、多个电阻R1-R5，功率电阻器RT、开关管Q1、三极管Q2、稳压二极管D1、电容器C1,C2和电压输出端；所述功率电阻器RT的第一端与所述电压输入端连接，所述功率电阻器RT的第二端与所述电压输出端连接；所述开关管Q1的输入端与所述电压输入端连接，所述开关管Q1的输出端与所述电压输出端连接，所述开关管Q1的控制端连接到所述电阻R2的第二端和所述电阻R3的第一端；所述电阻R2的第一端与所述电压输入端连接；所述R3的第二端与所述三极管Q2的集电极连接；所述电阻R1的第一端与所述电压输入端连接，所述电阻的R1的第二端与所述电容器C1第一端和所述稳压二极管D1的负极连接；所述稳压二极管D1的正极与所述电阻R5的第一端，所述电容器C2的第一端和所述三极管Q2的基极连接；所述三极管Q2的发射极与所述电阻R4的第一端连接；所述电容器C1,C2和所述电阻R4,R5的第二端接地。
进一步地，所述功率电阻器RT由多个子电阻串联而成。
进一步地，所述功率电阻器RT由8个阻值为0.68Ω的子电阻串联而成。
进一步地，所述开关管Q1为P型MOS管，所述开关管Q1的所述控制端为MOS管的栅极，所述开关管Q1的所述输入端为MOS管的漏极，所述开关管Q1的所述输出端为MOS的源极。
进一步地，所述电容器C1和C2容量为4.7uF。
进一步地，所述电容器C1和C2耐压值为50V。
有益效果：相较于现有技术，本技术提供的浪涌电流抑制器1不仅能够在接通电源的瞬间抑制浪涌电流，还能增大流过整流单元电流的导通角，提高功率因素并减小脉动系数，除此之外，浪涌电流之后所述开关管能够旁路所述功率电阻器，从而有效地降低，降低损耗功率，提高低压性能以及机械振动性能指标。
附图说明
图1是本技术提供的浪涌电流抑制器的电路结构原理示意图；
图中：电压输入端、Vin；电压输出端、OUT；电阻R1-R5；功率电阻器、RT；子电阻、R6-R13；开关管Q1；三极管Q2；稳压二极管D1；电容器C1,C2。
具体实施方式
下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
请参阅图1，是本技术提供的浪涌电流抑制器的电路结构原理示意图。所述浪涌电流抑制器包括电压输入端Vin、多个电阻R1—R5，功率电阻器RT、开关管Q1、三极管Q2、稳压二极管D1、电容器C1,C2和电压输出端OUT。
其中，所述功率电阻器RT包括8个子电阻R6-R13，并由所述子电阻R6-R13相互串联而成。所述功率电阻器RT的第一端与所述电压输入端Vin连接，所述功率电阻器RT的第二端与所述电压输出端OUT连接。在本技术的一个实施例中，所述电阻R6-R13使用R68贴片电阻。所述开关管Q1的输入端与所述电压输入端Vin连接，所述开关管Q1的输出端与所述电压输出端OUT连接，所述开关管Q1的控制端连接到所述电阻R2的第二端和所述电阻R3的第一端。所述电阻R2的第一端与所述电压输入端Vin连接。所述R3的第二端与所述三极管Q2的集电极连接。所述电阻R1的第一端与所述电压输入端Vin连接，所述电阻的R1的第二端与所述电容器C1第一端和所述稳压二极管D1的负极连接。所述稳压二极管D1的正极与所述电阻R5的第一端，所述电容器C2的第一端和所述三极管Q2的基极连接。所述三极管Q2的发射极与所述电阻R4的第一端连接。所述电容器C1、所述电容器C2、所述电阻R4和所述电阻R5的第二端都接地。
其中，在本技术的一个实施例中，所述电阻R6-R13为热敏电阻，使用阻值为0.68Ω的贴片电阻,其灵敏度高，工作温度范围宽，稳定性好，过载能力强。所述电阻R1,R2,R3,R4分别使用阻值为51KΩ，2KΩ,3KΩ和100Ω的贴片电阻。所述开关管Q1为MOS管或者三极管。优选地，所述开关管Q1为P型MOS管，所述开关管Q1的所述控制端为MOS管的栅极，所述开关管Q1的所述输入端为MOS管的漏极，所述开关管Q1的所述输出端为MOS的源极。所述三级管Q2选用型号为MMBT5551的三极管。所述电容器C1和C2容量为4.7uF，所述电容C1，C2的在瞬时值1000V/s时不损坏，耐压值为50V。
相较于现有技术，本技术提供的浪涌电流抑制器1不仅能够在接通电源的瞬间抑制浪涌电流，还能增大流过整流单元电流的导通角，提高功率因素并减小脉动系数。
除此之外，浪涌电流之后所述开关管能够旁路所述功率电阻器，从而有效地降低，降低损耗功率，提高低压性能以及机械振动性能指标。
对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】
一种浪涌电流抑制器，其特征在于，包括电压输入端、多个电阻R1‑R5，功率电阻器RT、开关管Q1、三极管Q2、稳压二极管D1、电容器C1,C2和电压输出端；所述功率电阻器RT的第一端与所述电压输入端连接，所述功率电阻器RT的第二端与所述电压输出端连接；所述开关管Q1的输入端与所述电压输入端连接，所述开关管Q1的输出端与所述电压输出端连接，所述开关管Q1的控制端连接到所述电阻R2的第二端和所述电阻R3的第一端；所述电阻R2的第一端与所述电压输入端连接；所述R3的第二端与所述三极管Q2的集电极连接；所述电阻R1的第一端与所述电压输入端连接，所述电阻的R1的第二端与所述电容器C1第一端和所述稳压二极管D1的负极连接；所述稳压二极管D1的正极与所述电阻R5的第一端，所述电容器C2的第一端和所述三极管Q2的基极连接；所述三极管Q2的发射极与所述电阻R4的第一端连接；所述电容器C1,C2和所述电阻R4,R5的第二端接地。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌电流抑制器，其特征在于，包括电压输入端、多个电阻R1-R5，功率电阻器RT、开关管Q1、三极管Q2、稳压二极管D1、电容器C1,C2和电压输出端；所述功率电阻器RT的第一端与所述电压输入端连接，所述功率电阻器RT的第二端与所述电压输出端连接；所述开关管Q1的输入端与所述电压输入端连接，所述开关管Q1的输出端与所述电压输出端连接，所述开关管Q1的控制端连接到所述电阻R2的第二端和所述电阻R3的第一端；所述电阻R2的第一端与所述电压输入端连接；所述R3的第二端与所述三极管Q2的集电极连接；所述电阻R1的第一端与所述电压输入端连接，所述电阻的R1的第二端与所述电容器C1第一端和所述稳压二极管D1的负极连接；所述稳压二极管D1的正极与所述电阻R5的第一端，所述电容器C2的第一端和所述三极管Q2的基极连接；所述三极管Q2的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：马峰，
申请(专利权)人：陕西华讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61