【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电源电路,尤其涉及一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路。
技术介绍
随着科学技术的发展,电子技术得以迅猛发展,电子产品种类越来越丰富,各种各样的电子产品进入到普通人们的家庭,使得人们的日常生活也离不开电子产品。由于各种电子产品的性能不尽相同,有的电子产品使用时需要软启动,以便保护电子产品在启动时不受到浪涌的冲击。但是,目前用于实现软启动的结构都比较复杂,且启动的延时时间较长,从而给用户使用带来极大的不便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,以期待解决目前用于实现软启动的结构都比较复杂,且启动的延时时间较长的问题。本专利技术通过下述技术方案实现:一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,主要由驱动芯片IC,P极经电阻R5后与驱动芯片IC的RES管脚相连接、N极与驱动芯片IC的CONT管脚相连接的二极管D3,分别与驱动芯片IC的RES管脚和THR管脚以及CONT管脚相连接的软启动电路,正极与驱动芯片IC的VOS管脚相连接、负极经浪涌抑制电路后与软启动电路相连接的电容C3,分别与驱动芯片IC的DIS管脚和OUT管脚以及电容C3的负极相连接的延时驱动电路,正极与驱动芯片IC的DIS管脚相连接、负极与驱动电路的OUT管脚相连接的电容C4,以及一端经放大滤波电路后与电容C3的负极相连接、另一端与驱动芯片IC的OUT管脚相连接的电阻R7组成;所述驱动芯片IC的DIS管脚与CONT管脚相连接,其GND管脚接地。进一步的,所述放大滤波电路由运算放大器P1,运算放大器P2,三极管VT6,一端与 ...
【技术保护点】
一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,其特征在于:主要由驱动芯片IC,P极经电阻R5后与驱动芯片IC的RES管脚相连接、N极与驱动芯片IC的CONT管脚相连接的二极管D3,分别与驱动芯片IC的RES管脚和THR管脚以及CONT管脚相连接的软启动电路,正极与驱动芯片IC的VOS管脚相连接、负极经浪涌抑制电路后与软启动电路相连接的电容C3,分别与驱动芯片IC的DIS管脚和OUT管脚以及电容C3的负极相连接的延时驱动电路,正极与驱动芯片IC的DIS管脚相连接、负极与驱动电路的OUT管脚相连接的电容C4,以及一端经放大滤波电路后与电容C3的负极相连接、另一端与驱动芯片IC的OUT管脚相连接的电阻R7组成;所述驱动芯片IC的DIS管脚与CONT管脚相连接,其GND管脚接地。
【技术特征摘要】
1.一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,其特征在于:主要由驱动芯片IC,P极经电阻R5后与驱动芯片IC的RES管脚相连接、N极与驱动芯片IC的CONT管脚相连接的二极管D3,分别与驱动芯片IC的RES管脚和THR管脚以及CONT管脚相连接的软启动电路,正极与驱动芯片IC的VOS管脚相连接、负极经浪涌抑制电路后与软启动电路相连接的电容C3,分别与驱动芯片IC的DIS管脚和OUT管脚以及电容C3的负极相连接的延时驱动电路,正极与驱动芯片IC的DIS管脚相连接、负极与驱动电路的OUT管脚相连接的电容C4,以及一端经放大滤波电路后与电容C3的负极相连接、另一端与驱动芯片IC的OUT管脚相连接的电阻R7组成;所述驱动芯片IC的DIS管脚与CONT管脚相连接,其GND管脚接地。2.根据权利要求1所述的一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,其特征在于:所述放大滤波电路由运算放大器P1,运算放大器P2,三极管VT6,一端与运算放大器P1的正输入端相连接、另一端与电容C3的负极相连接的电阻R10,正极经电阻R11后与运算放大器P1的负输入端相连接、负极接地的电容C8,正极经电阻R12后与运算放大器P2的负输入端相连接、负极接地的电容C9,P极与电容C8的正极相连接、N极与电容C9的正极相连接的二极管D6,正极与运算放大器P1的正输入端相连接、负极与运算放大器P1的输出端相连接的电容C6,正极与运算放大器P2的正输入端相连接、负极与运算放大器P2的输出端相连接的电容C7,串接在二极管D6与三极管VT6的集电极之间的电阻R13,串接在运算放大器P2的输出端与三极管VT6的发射极之间的电阻R14,以及P极与运算放大器P2的输出端相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D7组成;所述运算放大器P2的正输入端与运算放大器P1的输出端相连接,所述三极管VT6的基极经电阻R7后与驱动芯片IC的OUT管脚相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于放大滤波式浪涌抑制电路的软启动电源电路,其特征在于:所述浪涌抑制电路由三极管VT7,三极管VT8,场效应管Q,P极经电感L后与三极管VT7的集电极相连接、N极经电阻R15后与三极管VT7的发射极相连接的二极管D8,正极与三极管VT7的发射极相连接、负极接地的电容C10,串接在三极管VT7的集电极与场效应管Q的源极之间的电阻R16,串接在三极管VT7的基极与三极管VT8的集电极之间的电阻R17,正极与场效应管Q的漏极相连接、负极与三极管VT7的基极相连接的电容C11,P极与三极管VT7的发射极相连接、N极经电阻R...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:成都翰兴科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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