挡板和包含该挡板的衬底处理装置制造方法及图纸

提供一种衬底处理装置，其包括用于产生等离子体的等离子体产生部；置于等离子体产生部下方、并在内部具有空间的外罩；置于外罩内并支撑衬底的基座；以及包含将从等离子体产生部提供的等离子体注入至衬底的注入孔的挡板。挡板包含在其中形成有注入孔的基底；并且基底的中心部分比其边缘厚。

【技术实现步骤摘要】
本文中所公开的本专利技术涉及衬底处理装置，并且尤其涉及包含挡板的衬底处理装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，光致抗蚀剂被用作掩膜，以用于在衬底上形成极小的电路图案或者在衬底中注入离子。此后，通过灰化过程将光致抗蚀剂从该衬底上移除。这种灰化过程使用等离子体来移除光致抗蚀剂。高密度等离子体可以在灰化过程中用来提高灰化率。高密度等离子体可以在高温下加热挡板。当挡板在高温中被持续加热 时，挡板内部可能会出现热应力。特别地，被直接供以等离子体的挡板的中心部分与其顶面和底面具有不同温度，藉此在顶面出现拉应力而在底面出现压应力。因此，挡板的中心部分可能弯曲为向等离子体源突出的凸起形状。挡板的这种变形可能导致工艺缺陷，而且变形导致的破裂可能会产生碎屑。
技术实现思路
本专利技术提供了耐热变形的挡板。本专利技术还提供了使得在衬底处理过程中的碎屑产生最小化的挡板。本专利技术还提供了均匀处理衬底的衬底处理装置。本专利技术实施例提供的衬底处理装置包括用来产生等离子体的等离子体产生部；置于等离子体产生部下方并在内部具有空间的外罩；置于外罩内并支撑衬底的基座；以及包含注入孔的挡板，该注入孔用于将从等离子体产生部提供的等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，包括：等离子体产生部，其用于产生等离子体；外罩，其置于等离子体产生部下方、并在内部具有空间；基座，其置于所述外罩中并支撑衬底；以及包含注入孔的挡板，所述注入孔用于将从所述等离子体产生部提供的所述等离子体注入到所述衬底；其中，所述挡板包括基底，在所述基底中形成有所述注入孔，并且所述基底的中心部分比其边缘厚。

【技术特征摘要】
2011.07.25 KR 10-2011-00735091.一种衬底处理装置，包括 等离子体产生部，其用于产生等离子体； 外罩，其置于等离子体产生部下方、并在内部具有空间； 基座，其置于所述外罩中并支撑衬底；以及 包含注入孔的挡板，所述注入孔用于将从所述等离子体产生部提供的所述等离子体注入到所述衬底； 其中，所述挡板包括基底，在所述基底中形成有所述注入孔，并且 所述基底的中心部分比其边缘厚。2.根据权利要求I所述的衬底处理装置，还包括密封所述外罩的敞开顶部的密封盖，并且包括导入口，等离子体通过所述导入口而从所述等离子体产生部导入， 其中，所述基底的中心部分面向所述导入口。3.根据权利要求I所述的衬底处理装置，其中，所述基底在厚度上从其中心部分至其边缘逐渐减小。4.根据权利要求I所述的衬底处理装置，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面以及平坦底面。5.根据权利要求I所述的衬底处理装置，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面，以及向下突出的弧形底面。6.根据权利要求I至5中的任一项所述的衬底处理装置，其中所述注入孔包括 布置于所述基底的中心部分的多个第一注入孔；以及 布置于所述基底的边缘的多个第二注入孔，并具有比所述第一注入孔大的半径。7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中所述第二注入孔之间的距离大于所述第一注入孔之间的距离。8.根据权利要求I至5中的任一项所述的衬底处理装置，其中，所述挡板还包括耦接部，所述耦接部具有环形形状并从所述基底的顶面的边缘向上突出，并且 所述耦接部的上端部比所述基底的顶面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁承国，姜正贤，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：