【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入机寻找束流最大值的方法。此方法通过缓存记忆电源输入的三个值及其对应的束流值作为三组分析数据,并且对这三组数据进行趋势判断,来寻找束流最大值。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺已发展到12英寸晶片、纳米技术节点时期。随着晶圆片尺寸越来越大,单元器件尺寸越来越小,对半导体工艺设备的性能要求也就越来越高。离子注入机是半导体集成电路器件制造工艺中必不可少的关键设备。为了提高离子注入机的性能,使其满足现代大晶圆片、纳米器件生产工艺的要求和适应将来半导体工艺技术的发展,必须要开发高效的全自动控制系统。 离子注入机中,有许多的电源,包括高压源,电流源等等。这些电源的控制好坏直接影响了引出束流的稳定性。通过更改电源设定值来寻找束流的最大值,是通过扫描一段区间内的束流值来获取的。这样对于电源的设定值做了限制,而且通常时间也比较长。
技术实现思路
本专利技术主要是为了更加准确,快速的寻找到束流的最大值。具体步骤如下<1>根据不同电源,获取电源个性配置值,包括趋势差值DV,电源改变步长值SV (5)。〈2>获取初始的三组数据。将此时电源设定值及束流 ...
【技术保护点】
一种快速寻找束流最大值的方法其特征在于:会缓存三组电源设定值及对应的束流值作为分析数据。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周文龙,唐景庭,杨亚兵,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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