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在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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