改进的硅化物形成方式及相关器件制造技术

本发明专利技术公开了改进的硅化物形成方式及相关器件。一种示例性的方法包括：提供具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域的半导体材料；形成栅极结构，该栅极结构介于该源极区域和漏极区域之间；在该栅极结构上方实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在该金属栅电极上方形成硬掩模层；在半导体材料中的相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除该硬掩模层，从而暴露金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与硅化物层中相应的一个电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及改进的硅化物形成方式及相关器件。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多个IC时代，其中，每个新时代都具有比先前时代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于将被实现的这些进步，需要IC处理和制造中的类似开发。在IC演进过程中，功能密度(即，每个芯片区域中的互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小部件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的规模缩小还产生了相对较高的功率耗散值，这可通过使用诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的低功率耗散器 件来解决。由于这种按比例缩小的趋势(例如，由于高纵横比)，普遍的制造任务变得更加困难。作为一个实例，一种用于改进源极区域和漏极区域之间的电连接以及相关的源极接触件和漏极接触件之间的电连接的方法在接触孔填充有接触金属之前通过源极和漏极的接触孔对于源极区域和漏极区域执行硅化工艺。然而，当接触孔具有高纵横比时，该接触件穿孔硅化工艺可能更为困难并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料具有在其中的间隔的源极区域和漏极区域；形成栅极结构，所述栅极结构介于所述源极区域和所述漏极区域之间；对所述栅极结构实施栅极替换工艺，从而形成在其中的金属栅电极；在所述金属栅电极上方形成硬掩模层；在所述半导体材料中相应的源极区域和漏极区域上方形成硅化物层；去除所述硬掩模层，从而暴露所述金属栅电极；以及形成源极接触件和漏极接触件，每个源极接触件和漏极接触件都与所述硅化物层中相应的一个电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏铭，张志豪，尤志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：