加热控制方法及电加热设备技术

技术编号:15337022 阅读:128 留言:0更新日期:2017-05-16 22:34
本发明专利技术公开了一种加热控制方法及电加热设备,加热控制方法包括步骤一:设定加热预设时间、目标温度以及允许温度偏差值,并使可控硅器件控制电热元件开始加热和对加热时间进行计时;步骤二利用温度传感器检测腔室的实际温度并判断腔室内的实际温度与目标温度之间的差值的绝对值是否小于或等于允许温度偏差值,若是转至步骤三,若否转至步骤四;判断加热时间是否等于加热预设时间,若是转至步骤五,若否转至步骤六;使可控硅器件控制电热元件继续加热,并转至步骤二;使可控硅器件控制电热元件停止加热;使可控硅器件控制电热元件继续加热以保持差值的绝对值小于或等于允许温度偏差值,并转至步骤三。实现了腔室的实际温度的无级可调。

【技术实现步骤摘要】
加热控制方法及电加热设备
本专利技术涉及电加热
,尤其是涉及一种加热控制方法及电加热设备。
技术介绍
在相关技术的电加热设备中,普遍使用电热丝作为电热元件对水进行加热。而电加热设备的温度控制是通过电热丝电路的通断进行控制,这样的控制方式存在温度控制精度差。此外,电热丝的频繁启动总是伴随着电加热设备的水泵的启动、停止,影响电热丝的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术需要提供一种加热控制方法及电加热设备。本专利技术实施方式的加热控制方法用于电加热设备,所述电加热设备包括内胆、电热元件及可控硅器件,所述内胆形成有腔室,所述电热元件设置在所述内胆的底部,所述电热元件电连接所述可控硅器件,所述加热控制方法包括:步骤一:设定加热预设时间、目标温度以及允许温度偏差值,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对加热时间进行计时;步骤二:利用温度传感器检测所述腔室的实际温度并判断所述腔室内的实际温度与所述目标温度之间的差值的绝对值是否小于或等于所述允许温度偏差值,若是转至步骤三,若否转至步骤四;步骤三:判断所述加热时间是否等于所述加热预设时间,若是转至步骤五,若否转至步骤六;步骤四:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热,并转至步骤二;步骤五:使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热;步骤六:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热以保持所述差值的绝对值小于或等于所述允许温度偏差值,并转至步骤三。本专利技术实施方式的加热控制方法,可利用可控硅器件对电热元件的加热功率进行调节,实现了腔室的实际温度的无级可调,进而可避免频繁启闭电热元件而带来的控制精度较差和电热元件寿命低的问题。在一个实施方式中,所述步骤一还包括接收用户指令并根据用户指令设定所述加热预设时间和所述目标温度,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对所述加热时间进行计时。在一个实施方式中,所述加热控制方法包括:以所述差值作为第一输入量及以所述差值的变化率作为第二输入量,并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的导通角,以使所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率及使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热。在一个实施方式中,所述电加热设备包括与所述可控硅器件连接的光电耦合器,所述加热控制方法包括:通过所述光电耦合器控制所述可控硅器件的导通角。在一个实施方式中,在所述步骤四中所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率大于在步骤一中所述可控硅器件控制电热元件的加热功率。在一个实施方式中,所述电热元件为稀土厚膜元件。在一个实施方式中,在所述步骤二中,将所述温度传感器输出的温度电信号进行放大、滤波和数字化后得到所述腔室的实际温度。在一个实施方式中,所述电加热设备包括显示屏,所述加热控制方法包括:使所述显示屏显示所述目标温度和所述腔室的实际温度。本专利技术实施方式中的电加热设备包括内胆、电热元件、可控硅器件和控制电路,所述内胆形成有腔室,所述电热元件设置在所述内胆的底部,所述电热元件电连接所述可控硅器件,所述控制电路连接所述电热元件和所述可控硅器件,所述控制电路用于在控制所述电加热设备工作时,实施以下步骤:步骤一:设定加热预设时间、目标温度以及允许温度偏差值,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对加热时间进行计时;步骤二:利用温度传感器检测所述腔室的实际温度并判断所述腔室内的实际温度与所述目标温度之间的差值的绝对值是否小于或等于所述允许温度偏差值,若是转至步骤三,若否转至步骤四;步骤三:判断所述加热时间是否等于所述加热预设时间,若是转至步骤五,若否转至步骤六;步骤四:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热,并转至步骤二;步骤五:使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热;步骤六:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热以保持差值的绝对值小于或等于所述允许温度偏差值,并转至步骤三。本专利技术实施方式的电加热设备,可利用可控硅器件对电热元件的加热功率进行调节,实现了腔室的实际温度的无级可调,进而可避免频繁启闭电热元件而带来的控制精度较差和电热元件寿命低的问题。在一个实施方式中,所述电加热设备包括与所述控制电路连接的按键,所述按键用于接收用户指令,所述控制电路用于根据所述用户指令设定所述加热预设时间和所述目标温度,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对所述加热时间进行计时。在一个实施方式中,所述控制电路包括控制模块,所述控制模块以所述差值作为第一输入量及以所述差值的变化率作为第二输入量,并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的导通角,以使所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率及使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热。在一个实施方式中,所述控制电路包括与所述可控硅器件连接的光电耦合器,所述控制模块连接所述光耦合器,所述控制模块用于通过所述光电耦合器控制所述可控硅器件的导通角。在一个实施方式中,在所述步骤四中所述控制电路使所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率大于在步骤一中所述控制电路使所述可控硅器件控制电热元件的加热功率。在一个实施方式中,所述控制电路包括放大/滤波电路和模数转换电路,所述放大/滤波电路用于将所述温度传感器输出的温度电信号进行放大和滤波,所述模数转换电路用于数字化放大和滤波后的所述温度电信号并得到所述腔室的实际温度。在一个实施方式中,所述电加热设备包括蒸汽发生系统,所述蒸汽发生系统包括蒸发盘,所述蒸发盘设置在所述腔室的底部,所述电热元件设置在所述蒸发盘的外底面上。本专利技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:图1是本专利技术实施方式的加热控制方法的流程示意图。图2是本专利技术实施方式的电加热设备的立体示意图。图3是本专利技术实施方式的电加热设备的另一立体示意图。图4是本专利技术实施方式的电加热设备的模块示意图。图5是本专利技术实施方式的电加热设备的控制电路的部分电路示意图。图6是本专利技术实施方式的电加热设备的控制模块的模块示意图。图7是本专利技术实施方式的电加热设备的电热元件的结构示意图。主要元件符号说明:电加热设备100;内胆10、腔室11、电热元件20、基板21、导热层22、发热电路层23、可控硅器件30、温度传感器31、光电耦合器32、显示屏40、控制电路50、电阻50a、按键51、控制模块52、模糊推理模块521、PID控制器522、放大/滤波电路53、模数转换电路54、电源55、蒸汽发生系统60、蒸发盘61、水泵62、水箱63。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于本文档来自技高网...
加热控制方法及电加热设备

【技术保护点】
一种加热控制方法,用于电加热设备,所述电加热设备包括内胆、电热元件及可控硅器件,所述内胆形成有腔室,所述电热元件设置在所述内胆的底部,所述电热元件电连接所述可控硅器件,其特征在于,所述加热控制方法包括:步骤一:设定加热预设时间、目标温度以及允许温度偏差值,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对加热时间进行计时;步骤二:利用温度传感器检测所述腔室的实际温度并判断所述腔室内的实际温度与所述目标温度之间的差值的绝对值是否小于或等于所述允许温度偏差值,若是转至步骤三,若否转至步骤四;步骤三:判断所述加热时间是否等于所述加热预设时间,若是转至步骤五,若否转至步骤六;步骤四:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热,并转至步骤二;步骤五:使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热;步骤六:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热以保持所述差值的绝对值小于或等于所述允许温度偏差值,并转至步骤三。

【技术特征摘要】
1.一种加热控制方法,用于电加热设备,所述电加热设备包括内胆、电热元件及可控硅器件,所述内胆形成有腔室,所述电热元件设置在所述内胆的底部,所述电热元件电连接所述可控硅器件,其特征在于,所述加热控制方法包括:步骤一:设定加热预设时间、目标温度以及允许温度偏差值,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对加热时间进行计时;步骤二:利用温度传感器检测所述腔室的实际温度并判断所述腔室内的实际温度与所述目标温度之间的差值的绝对值是否小于或等于所述允许温度偏差值,若是转至步骤三,若否转至步骤四;步骤三:判断所述加热时间是否等于所述加热预设时间,若是转至步骤五,若否转至步骤六;步骤四:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热,并转至步骤二;步骤五:使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热;步骤六:使所述可控硅器件控制所述电热元件继续加热以保持所述差值的绝对值小于或等于所述允许温度偏差值,并转至步骤三。2.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,所述步骤一还包括:接收用户指令并根据用户指令设定所述加热预设时间和所述目标温度,并使所述可控硅器件控制所述电热元件开始加热和对所述加热时间进行计时。3.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,所述加热控制方法包括:以所述差值作为第一输入量及以所述差值的变化率作为第二输入量,并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的导通角,以使所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率及使所述可控硅器件控制所述电热元件停止加热。4.如权利要求3所述的加热控制方法,其特征在于,所述电加热设备包括与所述可控硅器件连接的光电耦合器,所述加热控制方法包括:通过所述光电耦合器控制所述可控硅器件的导通角。5.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,在所述步骤四中所述可控硅器件控制所述电热元件的加热功率大于在步骤一中所述可控硅器件控制电热元件的加热功率。6.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,所述电热元件为稀土厚膜元件。7.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,在所述步骤二中,将所述温度传感器输出的温度电信号进行放大、滤波和数字化后得到所述腔室的实际温度。8.如权利要求1所述的加热控制方法,其特征在于,所述电加热设备包括显示屏,所述加热控制方法包括:使所述显示屏显示所述目标温度和所述腔室的实际温度。9.一种电加热设备,其特征在于,包括内胆、电热元件、可控硅器件和控制电路,所述内胆形成有腔室,所述电热元件设置在所述内胆...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙炎军司鹏陈茂顺黄志飞
申请(专利权)人:广东美的厨房电器制造有限公司美的集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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